lvs command file定义三极管的问题(急)
没有谁规定了要用base来define bipolar吧
你是说三极管的识别层可以随便用个极定义吗?貌似跟三极管的结构有关系哦
好像一般识别层不能识别三极管的的某个极（就像识别电阻一样），只能识别是个三极管吧（去看看lvs怎么定义的吧）！我暂时还没见过共用到发射极了的。我见得最多的也就是共用集电极的！
只是识别层得选取一个特定的极，三极管的主要参数就是看射极的面积，但是如果射极都共用，那怎么区分器件?就这里不知道怎么去定义?
如果只是为了做LVS，那就可以随便找个你需要的极来做器件识别层。
三极管可以用任意极做识别层吗?
电路上共用发射极和基极，版图上不可能也画在一起吧顶多用金属连在一起！怎么会识别不出来了?
问题是版图也共用了,所以识别不出器件，这种情况咋整?
三极管的识别层不一定就是哪个极，纯粹就是为了识别一个三极管而已。所有device的识别都是这样
是的。
真不是随便哪个极都行，如：横向pnp，nwell做b极，nwell里的两个p+分别做c、e极，这种结构貌似就只能用nwell加mark层作为识别层，不过楼上可以用p+加mark层试下，我用P+怎么也识别不出来
不一定就是哪个极，你可以定义得复杂点，比如:
bjtpnp = ((nwell AND mark) INTERACT pdiff > 1
其实应该更复杂，只要能认出是这个device就好。
个人觉得横向PNP用emitter定义更好，当然device_layer要定义得比emitter更复杂。
不过我实在不能理解怎么共用基极和发射极，你说的跟我理解的共基极和共发射极并不一样；难道说一个NWELL里面有3个p+?
其实识别层就是要确定你选择的这个层是唯一性的，不会和你要提取的三极管之外的管子的识别层产生矛盾就行。如果一个识别层不够，你可以再增加一个识别层
有4个p+，其中3个是c极，一个是e极，nwell是b极，也就是通常指的二分之一、三分之一的器件，zero_0这种结构你用c极加mark做识别层可以识别出器件么?
唯一性这点是这样，但是像这种结构的三极管如用c极加mark做识别就是不行，randysong你可以试下用c极做识别看能否行?结构：nwell做b极，nwell里面的两个p+一个是c极另一个是e极。
关于工艺方面我还是理解不了，怎么知道是一个emitter和三个collector，而不是两个emitter和两个collector。
OK, 如果你可以区分出来，那将你的理解写成 command file 就好了。如果可以的话，请把 layout 贴图，那么我想会有人具体帮你解决这个问题的。
你的mark层是怎么画的?识别是肯定能识别的，只是语句有点复杂罢了。一个mark层不够，你可以增加一个mark层。比如markbjt覆盖整个三极管区域定义该器件为三极管，markc层覆盖C极，定义该区域为集电极，这样不就可以了?以前我写过各种三极管的提取语句。很久没有自己写了，所以现在无法给你写出来，你自己按照这个思路去写一下试试，我相信肯定是可以提取出来的。
根据面积判定，一般这种结构emitter在中间，collector分布在emitter周围，且emitter面积一般是最小的
如markbjt覆盖整个三极管区域定义该器件为三极管,那还是有问题啊，这种共射、共基极的结构如果这么定义只能识别出一个bjt吧?但是其实是三个bjt，现在的问题是怎么才能把这种结构识别出是三个bjt?
你理解错了，markbjt只是定义这个区域的器件是三极管，markc才是决定有几个bjt的标识层，如果你有3个集电极，那么你就画3个mark才的图形分别覆盖3个集电极，注意，这几个markc的图形不能有任何接触，这样就可以提取出来3个啊
是calibre还是dracula?我用calibre跑的，但只用一层mark层定义器件，即：识别器件及数目都是这一层的。randysong你说的那种方法怎么定义?一般的：deviceQ(PNP5)识别层CBE, 如你所说有两个识别层，格式是怎么样的?就在识别层那写两个识别层么?
好，既然是通过面积区分，那就可以做相应的 operation 了。Calibre 有 "size" "area" "expand" 等供你选择，也有可能会用到 "with neighbor" "hole" 等。
没有 design rule 和 PDK, 我只能做相应的猜测，而不敢斩钉截铁地告诉你该怎么做，希望能对你有所帮助。
另外，有几层标识层是由 Fab 决定，与你用什么验证工具无关。实在没办法的话，其实你也可以考虑加一层标识层，等项目完成时或者tape out 时再删掉 。
不过calibre、dracula的语法有区别，其实不一定要design rule的，知道结构的话就可以做出这个器件，现在主要讨论的是怎么去定义、识别这种结构的器件
不清楚哦，向前辈学习
我没有接触过横向PNP，而我对横向PNP的认识也仅仅是从《模拟电路版图的艺术》获得，里面的collector的是一个Ring，并且我并不觉得你描述得很清楚，因为有用的信息是非常多的。有时候你可以定义得很死，不一定非要涵盖你所理解的横向PNP。
然后我想说，在你反驳之前最好先经过查找取证，就device的结构都经过近２０条回复才让你不再纠结，我实在很怀疑在你提问这段时间到底花了多少时间看SVRF。
如果你可以在我下班前（下午五点半）给出一张示意图，我肯定晚上可以给你做一个近乎正确的定义（但最好不要这样，自己思考肯定比别人给答案要学得多）；否则我觉得我的耐心还是不够，我不想再回这个帖子了。
这是剖面图，结构很简单了，文字描述完全没问题的，zero_0强烈要求上图就上图先，用nwell加mark做识别层肯定没问题，zero_0你用P+加mark做识别层可以识别出器件么?我试了很久，识别不出。
抱歉，我昨天忘记看了，利用中午休息来答复吧。另外为我描述的不够清楚抱歉，因为我想知道的是更特别的信息，而不是泛泛的横向PNP，因为如果是我的话我就不打算定义得那么具有普遍性，只要在现在正在做的项目适用就好了，所以我想知道的其实是比如说：在这个项目里是否只有共基极&共发射极的横向PNP，3个collector是否面积一样（为多少），它们的形状怎样，它们与发射极的距离是否一样（为多少），是否在横向PNP外面都会圈guadring等等。这些信息只要在正在进行的project里具有适用性我觉得都可以利用，所以我其实是希望看到layout。
在我接触的project里bipolar的size最多也就三种，假设你的project也是这样，我想或许可以这样（假设emitter的size分别是1，2，3um^2）：
bjtbase = nwell interact mark
bjtdiff= diff interact mark
bjtemit1 = area bjtdiff < 1.01
bjtemit2 = area bjtdiff < 2.01
bjtemit3 = area bjtdiff < 3.01
bjtecoll1 = area bjtdiff > 1
bjtecoll2 = area bjtdiff > 2
bjtecoll3 = area bjtdiff > 3
bjtbase1 = (bjtbase enclose bitcoll1) and (bjtbase enclose bjtemit1 == 1)
bjtbase2 = (bjtbase enclose bitcoll2) and (bjtbase enclose bjtemit2 == 1)
bjtbase3 = (bjtbase enclose bitcoll3) and (bjtbase enclose bjtemit3 == 1)
pnpcoll1= bjtcoll1 inside bjtbase1
pnpcoll2= bjtcoll2 inside bjtbase2
pnpcoll3= bjtcoll3 inside bjtbase3
pnpemit1 = bjtemit1 or mark
pnpemit2 = bjtemit2 or mark
pnpemit3 = bjtemit3 or mark
dev q(pnp) pnpcoll1 bjtcoll1 bjtbase pnpemit1
dev q(pnp) pnpcoll2 bjtcoll2 bjtbase pnpemit2
dev q(pnp) pnpcoll3 bjtcoll3 bjtbase pnpemit3
我不太确定这是否可行，因为我需要更多的信息。
Calibre的我没有搞过，不过类似，看用什么方式去识别了。既然你仅仅是为了正确的识别和LVS，那你可以多用一些层（版图中用不到的，做完LVS可以删除的）作为Mark就行了啊，比如markbjt和markc
pnpc' = p inside markbjt
pnpc=p inside pnpc'
然后再分别定义出e区和b区，就应该可以提取出来了吧?
明白了,zero_0你是用面积来区别器件的，以前真没想到这一点，这还真不失为一种好方法，现在搞明白了一点，就是BJT器件定义是可以随便用哪个极做识别都可以的，只是要注意下其3个极之间的互联关系，用面积去区别也很好区分，zero_0的耐心其实很好哈，写的那么详细 非常感觉哈