电阻问题，求教

首先请问：ploy电阻上面该不该盖一层M1，我看CSMC的高阻值电阻上都有盖一层M1这是什么原因（做屏蔽）
那不用考虑氢化对其阻值的影响吗?
还有：ploy电阻有的会有离子注入，那这种ploy电阻是不是某种成度上也可以看作注入电阻，那是不是要考虑：
如果是注入电阻的话，特别是低注入，在上面走金属线，会影响电阻里面的载流子分布，会对电阻值产生很大的影响。
请大家不吝赐教！

我见过的rpposab不一定要metal1 走上啊，不同的工艺

实际的流片经验显示，如果是Poly电阻上面铺Metal， 阻值会偏大！

谢谢！请大家多多讨论！发表一下意见！

怎么没人愿意分享一下经验啊！

用poly做的高阻上面一定会有金属覆盖，而且这层金属最好接在低电位上；这层金属的作用主要是防止电荷分散，让阻值更精确，上面接电位主要是电场屏蔽的考虑

但我们用的TSMC的工艺的高阻ploy就没有盖金属(大概有1K每方块)。能不能详细说一下，什么叫防止电荷分散啊！谢谢！

我来学习