版图 天线效应 仅加N注入接触的实际效果
时间：12-12
整理：3721RD
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layout过天线效应处理时，除了金属错层处理，会在信号线上加入反偏二极管来泄放生成过程中积累的电荷，
但实际 layout处理时，很多版图工程师都是信号线直接 接一个N注入（旁边不会再加P注入接地形成 二极管），这样，满足面积比后 Rule就不会再报错，
问题：
这样 能真实解决天线效应，
还是仅仅利用一般Rule的规则漏洞欺骗工具，实际并不能解决天线效应（没有形成反偏二极管）？
但实际 layout处理时，很多版图工程师都是信号线直接 接一个N注入（旁边不会再加P注入接地形成 二极管），这样，满足面积比后 Rule就不会再报错，
问题：
这样 能真实解决天线效应，
还是仅仅利用一般Rule的规则漏洞欺骗工具，实际并不能解决天线效应（没有形成反偏二极管）？
N注入是做在哪个里边？ P衬底里挖的坑？那还是反偏二极管
整个芯片是P衬底，但此 N diffusion 周边 再没有 P diffusion类的有源区及接触，
形成一个串了较大阻抗的反偏二极管？
泻放积累电荷本身应该也不需要低阻通道吧
这样做足够了，你再把衬底接的好一些，也是更好。
对啊，Antenna Rule又不是ESD
楼主的疑问是这里应该是一个N+/pwell二极管，但是为什么没有画pwell?
版图没画pwell不代表实际做出来没有pwell, 很多工艺平台是只需要画nwell, 没有画nwell的区域就是pwell
n+做到pwell里了，一般的工艺pwell在virtuoso里都不看不见的，实际mask时nwell取反就是pwell