OTP高温测试，数据被写入

做高温测试，OTP中写入一些数据，高温测试后，发现一些地址的数据由0变为1，但是没有1变为0的问题，也就是一些地址意外的写入数据，不知是否为高温引起，谢谢。 发生问题的芯片概率为2%左右
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不是意外写入啦，应该是电荷leak掉了。知道用的OTP是哪家的吗？

Sidense   [
有什么办法做这种测试吗
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什么叫怎么做这种测试？你们不是已经测出来啦吗？ 另外你们定义的“1”是program状态还是unprogram状态？

他这里显然1是编程的状态，所以他看不到1变0的情况

就是高温引起的，高温下0DATA数据Shift比较严重。看来都已经到Read电压下读出1的状态了。不知道高温之前是不是PGM就没有到位

这个不应该去问sidense吗？

我觉得你先区分一下，是高温读的时候数据不对，还是说经过高温，恢复到常温的时候读的还不对
如果是后者，那就是cell的电荷丢了，但OTP一般挺难丢的
如果是前者，可能就是readout电路的threshold飘了，你找sidense要内部寄存器，一般都有调整的空间

先看看有问题地址能否再次编程或者擦除为0
然后把高温时间缩短看看有无改善，就可以确定
问题

和工艺也有关，哪家的工艺  
  

program状态
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多高温度？

sidence的otp，1状态是栅击穿，高温测试后栅被击穿挺奇怪的。问问sidence是怎么回事吧。