Bandgap 测试后电压普遍偏高30mv左右，求原因？

如题，1.2V低压BG结构，华宏工艺流片后，不校准的情况下，输出参考电压比后仿真的800mV高了约30mV，而一致性与后仿真接近约+/-15mV（常温，目前测了几十片）
大家帮忙分析下，可能的原因有啥？会不会是工艺模型不够准确？
另外，之前用tsmc工艺流片，同样的架构，实测与后仿真非常接近。

工艺偏差，器件失配。

如果是器件失配的话，为啥相对变化量不大，范围符合corner+MC仿真，唯独绝对值偏差大

数据量太少，不大能说明问题，才几十片，对于整片wafer芝麻大点地方，这种问题拿到整张数据，做个正态分布图才有意义。或者至少wafer十字架取样数据。几十片偏差很大或者一mv不差对于量产都没有意义。对于判定是否model不准或者中心值偏差，一片甚至一个lot都没有意义，需要更大量的数据佐证

正常。

测一下温度曲线，可能ppm特别大，这样的话首先需要trim温度系数

器件失配分成随机失配和系统失配两种。系统失配（可能原因：版图没画好）会造成你
说的这种现象。

我感觉也像是系统失配，但是BG的版图很小，而且也都有意做了关键匹配，所以应该是局部失配，也就是说MC仿真理论是包含的，但是测试貌似还是超出预期

你把几十颗芯片的数值平均一下，如果跟仿真有区别，就是系统性失配
不过这个可能跟corner关系比较大，不知道平均值是否落在你前仿各个corner的范围内？
T比其他家好的地方之一就是对corner的控制比其他家精确
另外，还有model问题，T是不是bsim4的model，而grace是BSIM3的model?

bg不是fab都有提供的么