nandflash和 RAM哪个更耗管子？

ram存储一个数据要6个管子，甚至更多，flash一个单元可以存一位数据甚至更多数据

不能这么比吧，ram还要刷新电路，flash还有读写电路，规模决定差别
  

SRAM是6个
DRAM就一个

嗯，楼上也不区分一下SRAM和DRAM

sram, cell size 150~300F^2
dram, cell size 7~10F^2
edram cell size 20~50F^2
Flash, NOR 10-70F^2
Flash,NAND, 4-5F^2  (SLC)
大概数据，传统印象，光数数量没用的。F是特征尺寸，读写刷新这些外围电路，有个参数叫array efficiency，这个和macro容量高度相关，不好说的。
关键是flash要实现读写都是random access，那就得变成eeprom，单元面积也不小，很多都和工艺有关，sram受限于embedded，design rule不能像standalone那种那么极端，但人家不需要额外加那么多mask，这个完全是尺有所短寸有所长。

你这个cell size是不算任何外围电路纯粹一个bit单元的size吗？
为啥NAND比NOR小这么多，不是用的一样的cell吗？只是NOR为了fault-free码的稀疏一点吧，cell size应该是一样的吧？
dram cell居然比flash cell还小，flash就一个transistor的面积吧，dram这边是算的一个capacitor的面积吗？
既然是Flash就不需要考虑随机写的情况了吧，erase起来太慢了，没法用啊。我觉得不妨比较NAND Flash和按同样NAND方式做的DRAM，都是假设block device的应用情景，DRAM真能比Flash做的更密么？

nand cell 比nor小，简单说是因为每个nor cell 都有独立的source/drain，通过金属连线接出去，而nand flash很多个cell 公用一组source/drain。从而节省了面积。
这样结构的差别造成了他们读写速度的不同。
  

dram的capacitor是在transistor上面的 所以它跟nor flash差不多的

有道理，学习了。多谢多谢。

按6楼Keinwell给的数据，dram cell是7-10，nor flash是10-70，好像dram更密似的。

dram那个是standalone,edram一样大n多。就像standalone的dram，最长保持时间能有64ms，edram有的不到1ms,结果edram面积还是大。
nor是embedded，完全不同的design rule，就跟tsmc这种做逻辑的和三棒存储工厂的rule不同一样。
而且nor不一定是一个管子的，有1.5T的，2T的结构，根据你retention和endurance要求不同，面积差异大了。
另外，尺寸越小，F^2数值越大。比较之前要搞清是同代工艺，田忌赛马就没意思了

nor 也是可以随机读取的

多谢指教。
不过最终还是可以有个系统级的比较结果吧，如果就是把NAND Flash中的Flash cell换成DRAM cell的话（当然是相同工艺下）。并不是无法well define的问题。

dram 跟flash干得不是同一件事儿 要比跟pcram即imflash的xpoint比 请自己搜 xpoint。

只是mainstream application干不同的事而已，市面上也有DRAM Disk，只是用的人少。
其实我现在问的是个what if的问题，问的就是*如果*用DRAM做(volatile) block device会怎样，这跟它们现在用做什么无关。

真不是你说的这样 dram做成nand结构 做sequential read和block erase 首先一个问题 它怎么refresh呢？我能理解的最接近你想说的意思就是persistent memory。
flash是nonvolatile dram是volatile
你说的dram disk我搜了下 用的是tsb的flash内核和dram做的buffer加上一个自己写的nandcontroller 这还是个nandflash而已

block erase可以省了吧，对于dram。refresh电路和NAND本质上冲突吗？还是说有设计上的变数所以就不好估计密度了？
我上一贴就是说volatile block device啊，volatile和block device也不冲突吧。如果能做一个性价比更高的扩展memory，是block device接口，但是volatile，这样在计算机系统里也不是没用啊，比如可以用于做虚拟内存。问题是能不能做到“性价比更高”。

SRAM一般是6T，不过最近看到一篇文章讲1T SRAM的，是利用floating-base-NPN (Biristor) 的滞回I-V特性来存储数据的，虽然尺寸要比flash大很多，至少管子数上能和flash相当……