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感慨下三星太牛了

时间:12-12 整理:3721RD 点击:
现在的nand形势是这样的 Big Kimchi>>Sushi=Small Kimchi>>Potato
三星这是要闹怎样 18nm DRAM搞定了 64L 3D NAND搞定了 14nm Finfet搞定了 难道只有金三胖的原子弹才能管得了它了么

第一句黑话看不懂。是在代指 三星,东芝,海力士,镁光?

嗯嗯

国内大干快上nand和DRAM,会不会死的很惨。

Intel一招秒

英特尔干不过三星

黑的漂亮,24年半导体no1的地位你一句话就否定了

xpoint要是把SSD直接扫进垃圾箱呢?

Just my personal thoughts:
DRAM is pretty much dead end, no need to continue investing on this.
NAND, hmmm, if china can get 3d nand working, it will have a great future. So far Persistent Memory/SCM still cannot compete with Flash NVM. Hope XMC can get their 3d nand working!

谈谈Sandisk 的3d

原贴只讨论NAND吧。Intel/Micron家的NAND确实落后于Toshiba/SanDisk的,远远落后于三星的。

据传说XPoint功耗感人。

除了堆层数尚可望三星项背,功耗吞吐率延迟应该全都不如。

越来越觉得就是PCM了
PCM写要烧个200~300度,功耗必须感人

不用觉得 业内有共识的

正解 三星简直了 三胖快扔个核弹过去吧

energy per operation不见得吧,flash一个erase,功耗得是一大片cell的操作,而且时间长,还不提20V的charge pump的功耗以及效率不高造成的必然损耗。
而且这些nvm的读功耗更加低,nand读掉速就不说了。
如果是RRAM,就更不用说了, 其实下一代nvm,energy per operation绝对完爆flash,只不过是在很短的时间内干完所有活然后idle而已。由于延迟有超过1000倍的提升,即便数据总线宽度只有flash的10%,不考虑接口限制,其自身的数据传输速度仍然完爆flash,关键是成本。而且这些nvm都是货真价实的,不存在长期断电数据丢失的问题,也不用整天wear leveling,描黑他们只不过是目前成本高而已,毕竟现在各家都在flash上大有投入,得先回本

Intel应该在搞下一代吧,只要不点错科技树,实现弯道超车还是可能的。

intel也行了,90年代放弃ram做处理器,才成了今天的半导体老大

生态就是整个电子芯片厂家到消费类终端产品厂家加上消费者市场,类似于阿里电子商业生态帝国一样,在这个生态圈内,三星公司没有成就生态帝国最重要的规模庞大的市场,这一点土工有,土工需要的整编国内电子产业各个山头军阀以及土匪们,集团军作战,有市场做后盾,稍微用行政等非技术手段将市场进行一定程度封闭可以将三星打个半死,类似于当年阿里禁止百度搜索一样彻底将百度踢出去,形成相对封闭的生态系统

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