Re: 硅cmos器件发生什么变化后，将变成非硅cmos器件？
时间：12-12
整理：3721RD
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亲 看你问的恳切 我免费科普了。
cmos仅仅指nmos和pmos两种mosfet共用时的逻辑电路架构 对应早年nmos 或 pmos only的电路讲的。跟硅不硅的其实没太大关系。前段时间ibm不是demonstrate锗的cmos器件么 包括三五的器件如果非要cmos也不是不可以 只是意义不大。
advanced channel material泛指 三五材料和germanium 包括它们的量子井结构 本质都是由于高迁移率带来的mosfet性能提升。具体到如何实现这些advanced channel 有的认为在硅上可以外延三五和锗 但这样的良率我表示怀疑 工业界怎么做的我也不知道 还有的认为就该直接用三五基底的片子 但这样做成本会爆高无比 完全不可能取代现有的silicon based的技术。
回到你的问题 如果下一代沟到材料的实现是通过硅基外延 那么其实这还是硅cmos 否则自然就不是了。
希望这解答了你的问题。
cmos仅仅指nmos和pmos两种mosfet共用时的逻辑电路架构 对应早年nmos 或 pmos only的电路讲的。跟硅不硅的其实没太大关系。前段时间ibm不是demonstrate锗的cmos器件么 包括三五的器件如果非要cmos也不是不可以 只是意义不大。
advanced channel material泛指 三五材料和germanium 包括它们的量子井结构 本质都是由于高迁移率带来的mosfet性能提升。具体到如何实现这些advanced channel 有的认为在硅上可以外延三五和锗 但这样的良率我表示怀疑 工业界怎么做的我也不知道 还有的认为就该直接用三五基底的片子 但这样做成本会爆高无比 完全不可能取代现有的silicon based的技术。
回到你的问题 如果下一代沟到材料的实现是通过硅基外延 那么其实这还是硅cmos 否则自然就不是了。
希望这解答了你的问题。
你只要知道本质是不变的，开关
想说就直说，何况7不是终点
数字电路用开关特性。模拟又不用。本质啥啊。
cmos的特性