半浮栅晶体管，找到一个pdf，大家看看，这技术到底是不是真的奏

 r_for_Low-Voltage_Ultrafast_Memory_and_Sensing_Operation.pdf
话说三端元件都发展多少年了，drain和gate之间那么一点小暧昧难道那些semi大厂都瞎眼了看不出来？
至于中国人对mos的贡献，个人认为还是四川大学（不知有没有记错）一个老师弄出来的coolmos最大。

迅速浏览了一下，本人不是做memory出身的，但是觉得idea不错
不可能用来取代SRAM/DRAM/Image sensor
最大的希望还是在Flash，应该转给toshiba/Sandisk/micron的人看看
.88

呵呵，那个是成电的陈星弼院士的成果
但是貌似到现在陈院士也没有把他的patent转化为产品。最后大家都把这个叫coolmos了。其实他的专利貌似叫cb结构

还有这个典故啊，没看出来，哈哈

听说陈院士很早就把专利卖给国外了，应该是有产品的。

还是有些故事的，陈院士和西门子也打过一些时间的官司。
据说原始的idea是陈院士的，但有次开国际会议，陈院士和西门子的工程师讨论了一些他的新想法。没想到西门子的哥们回去自己按着这个思路开工干了，也申请了相关的专利，借助于西门子成熟的工艺平台，把成品也做出来了，就是大家都知道的coolmos。
陈院士被气得够呛，但奈何90年代末国内产业大环境和现在差的太远，也很无奈。后来陈院士一直在努力把这个结构在国内的工艺上实现，包括重庆，无锡的研究所，以及上海的fab，但结果都不是特别理想。10年多前学校和fab的脱节太严重。
但国内还是给了这个结构很高的评价，包括好像有个信息产业重大发明的奖