zz: 英特尔率先批量生产3D结构晶体管
时间：12-12
整理：3721RD
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英特尔5月5日在其北京的中国研究院宣布，22nm三栅极（Tri-Gate）的革命性3D晶体管将批量生产，还将在2011年底前批量投产研发代号为Ivy Bridge的22nm微处理器芯片，首先用于笔记本电脑、服务器和台式机。其革命性体现在把已延续了50多年的2D平面晶体管结构突破到了3D结构且可批量生产，这堪称一个里程碑式的标志。目前，除了英特尔之外，还没有其他任何一家厂商可以做到这一点。)
虽然英特尔没有公布3D结构晶体管用于低功耗凌动处理器的具体时间表，但英特尔大连芯片厂总经理兼技术与制造事业部亚洲区发言人Kirby Jefferson表示：“会很快。”由此可以预期，一旦采用3D三栅极晶体管的凌动处理器进入市场，在低功耗、低成本的嵌入式领域必将掀起一场滔天巨浪。届时，I-A（英特尔与ARM）大战将正式进入贴身白热化的程度，ARM将面临来自22nm工艺3D三栅极晶体管技术的强劲挑战。
随着英特尔3D三栅极晶体管消息的发布，ARM股价应声狂跌了7.3%，而英特尔股价则趁势上涨了1.95%。不管未来I-A战役双方胜负结果如何，可以肯定的是，消费者将会享受到价格更低、功耗更小、性能更高的嵌入式消费电子产品带来的愉悦体验。
下面来看看3D三栅极晶体管的技术特性。在低电压时，22nm工艺的3D三栅极晶体管比此前的32nm平面晶体管栅极延迟，即开关速度快了37%，功耗降低了50%。
英特尔5月5日在其北京的中国研究院宣布，22nm三栅极（Tri-Gate）的革命性3D晶体管将批量生产，还将在2011年底前批量投产研发代号为Ivy Bridge的22nm微处理器芯片，首先用于笔记本电脑、服务器和台式机。其革命性体现在把已延续了50多年的2D平面晶体管结构突破到了3D结构且可批量生产，这堪称一个里程碑式的标志。目前，除了英特尔之外，还没有其他任何一家厂商可以做到这一点。)
虽然英特尔没有公布3D结构晶体管用于低功耗凌动处理器的具体时间表，但英特尔大连芯片厂总经理兼技术与制造事业部亚洲区发言人Kirby Jefferson表示：“会很快。”由此可以预期，一旦采用3D三栅极晶体管的凌动处理器进入市场，在低功耗、低成本的嵌入式领域必将掀起一场滔天巨浪。届时，I-A（英特尔与ARM）大战将正式进入贴身白热化的程度，ARM将面临来自22nm工艺3D三栅极晶体管技术的强劲挑战。
随着英特尔3D三栅极晶体管消息的发布，ARM股价应声狂跌了7.3%，而英特尔股价则趁势上涨了1.95%。不管未来I-A战役双方胜负结果如何，可以肯定的是，消费者将会享受到价格更低、功耗更小、性能更高的嵌入式消费电子产品带来的愉悦体验。
下面来看看3D三栅极晶体管的技术特性。在低电压时，22nm工艺的3D三栅极晶体管比此前的32nm平面晶体管栅极延迟，即开关速度快了37%，功耗降低了50%。
这玩意儿肯定有自己的问题，除了成本，还有什么毛病？
这个得最终样片出来测试了才有结论吧？英特尔应该不会拿自己开玩笑的……
这个就是FinFET吧，TSMC也研究好久了，没想到让intel先量产，
估计最近TSMC鸭梨很大啊
intel那个也不成熟。。
tsmc还是会focus在平面上。。