类似3D晶体管之类的东西是物理人还是EE人做的？

类似3D晶体管这东西是那家著名的大公司做的咯，那么负责开发这个东西的是米国物理学的哥，还是EE的哥做的?
  
还是两者的混合哥？
感谢赐教，如果是推测请说说理由啦，多谢！

看结构没啥大的突破啊，就是漏电没办法克服了的一个工程解决方案罢了。

不是，因为工艺进步，在保证开关速度不降低的情况下，漏电会越来越大，45nm时intel用材料克服了，但高介电常数的材料不一定总能找到，所以就在结构上改进，于是就有了3D结构。跟ibm soi一个意思吧。

差不多吧，突破高k材料估计比cpu频率上10g还难，intel现在使用的材料已经比sio2提高上十倍了，全世界也就intel研究出来。

半导体材料的在大学里大多还是材料科学，以及化学系多些
挂靠物理系的也是以交叉学科存在的表面科学之类
当然要是涉及第一性原理的计算，还是属于物理系的范畴

你回答的不正确。
FinfET和HighK没有任何关系。
FinFET是为了抑制short channel effect
HighK是为了控制Gate leakage current
采用3D结构和HighK没有关系，你把Gate leakage和subthreshold leakage混为一谈了
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