请教有用过MOS可变电容的吗

PMOS可变电容是做在Nwell里的，对衬底噪声的隔离会不会好一点啊，两种电容C-V曲线哪个更线性啊，这种非线性调制转化来的相噪哪个更小啊，哪种的电容可变范围大对应可调频范围大些...抛砖引个玉~~~

NMOS可变电容是放在Nwell的。用PMOS可变电容的话只能工作在强反型区和耗尽区，不能工作在累积区。不知道有没有这个考虑

可变电容一般都是nmos in nwell， pmos in pwell(Isolated by DNW), 所以感觉NMOS好些，面积也小点，他们都是在accumulation region; 对于smaller signal application ，accumulation region 的 linearity 会好些，但是对于larger signal，感觉两者区别不是很大(即时是 mosfet 的 abrupt CV curve，同样也有不小的linear regin tuning curves)