请教一下MOSFET器件的基础知识

如附件的图片所示，是一个NMOS的截面示意图。
问题1： Vgs指的是Vg和Vs or Vd之间的电位差么？那么Vgs的电位差形成的电场看起来并非垂直于poly si衬底平面的？而是水平的？那又如何诱导出N沟道呢？
问题2：NMOS采用p衬底，SD掺杂N；PMOS采用N衬底，SD掺杂P；那么P型衬底和N型衬底在同一个硅片上是如何做的呢？也是靠掺杂吗？
新手没有太多半导体基础，所以问题可能比较可笑。
望有人能指导我一下，谢谢~~

1:Vg和Vs的电位差，通常Vs是与地连一起的，不考虑体效应前提，实际上就是Vg与地的电势差，沟道是因为Vg电压加上后产生反型了
2：通常衬底是p-sub，在上面直接做nmos，或者有加个双阱工艺p-well做nmos；在p-sub衬底里加上n-well，再做pmos。。。。都是同一个芯片
兰州看看模集撒

参见拉扎维 <design of CMOS analog integrated circuit>第二章