nmos/pmos的寄生电容应该看sp的结果还是dc的结果

需要看mos管的S和D两端的寄生电容，在spectre里发现dc operating point得到的cbb和cdd跟用sp仿真得到结果不一致，我用sp扫描电压得到imag(Y11)/2/pi/freq或者1/(-imag(Z11))/2/pi/freq比dc的cdd/cbb结果要大好几倍，但是cgg却是一样的。
是哪里设置有问题吗？哪个结果会更可靠点？十分感谢。
netlist是这样的
port0 vin 0 r=50 dc=vdc type=sine
M1 vin gnd vdd vdd pmos l=0.18 w=4u
sp里设置了sweep design variable=vdc from 0 to 1, at frequency=100M

补充：
dc operating points里的结果包含一个cddbi，cgsbi等，查了一下是intrinsic capacitance，这个参数是指什么？cddbi+cdd加起来正好跟sp的结果相符。。。

你是想得到mos管的S/D gate  overlap capacitance ？还是 S/D channel coupling c
apacitance ？ 直接从模型里查参数，前者是CGSO，CGDO 后者是CDSC。更详细的可以查
询BSIM 的手册 http://www-device.eecs.berkeley.edu/bsim/

谢谢。想看从D端看进去的总电容，假设此时gate和S都是ac ground接法。

哪家的模型？模型的level是多少？ 如果是bsim3的模型 capmod 设置为3. 可以理解为D- gate电容并上D-S间的电容，可以先估算下。再仿真，用Hspice试试，spectra对一些spice 参数有忽略。

tsmc 0.18um工艺，要等到国庆之后才能实验了，汗。。。
用spectre仿真dc的时候有cddbi,cgsbi这些参数，手册里写的是intrinsic drain/source capcitance, 但是没有找到更详细的描述，请问这个跟cdd是有区别的吗？