metal density的要求是出于哪几方面的考虑？

我知道一般都要检查area density和global density。我的理解是前者为了避免cmp时密度不均的区域被抛掉的金属层高度不同。后者主要是出于etch时密度不同的区域被腐蚀掉的金属量也不同。是这样么？

个人猜测也有应力的考虑吧，不同地区的density区别过大可能导致应力分布不均匀造成失效。

metal density与应力没有任何关系
和应力有关的是polysilicon和STI density
metal density主要由两种效应一种是短程的，就是楼主说的原因
还有一种长程效应，和退火温度之类的原因引起的
所以要分别控制global和local
metal的density对应力的影响微乎其微

你这个问题本身不清楚。
metal是铝，是etch形成的pattern。
metal是铜，是CMP形成的pattern。
对CMP或者etch制程来说，有一个合适的图形密度范围。
这个包括Area density 和 global density.
如果不在范围内，通常要加dummy metal来达到要求的密度。
少数，像RF的部分，不能加dummy的。
应力要考虑的metal不能太宽，太宽的需要挖槽（metal slot）隔开。
应力也能通过via传送，所以好的via布局设计和工艺的退火设计对复杂的芯片很必要。