请教：如果计算这个运放的input-referred offset
的文献介绍么？谢谢！
你不是刚刚捣鼓过bandgap的mismatch么？
一样的
input-referred offset，不光是输入了，还要看做负载的pmos
非常感谢，但是我的想法是：通过Avt,Abeta或者其他的工艺参数，能够找到一个公式进行
简单的计算，然后用仿真器仿真。同时，有一个简单的公式，也能够比较直观的确定过驱
电压，面积等影响因素的权重。
对啊，就是那里面的。刚把current mirror捣鼓完了，有碰到这个问题了。模拟真是难搞
啊。。。混口饭吃真不容易，还忘大牛们多多指教啊。。。。
有没有啥书或者文章直接分析的，这样来得快些。也省得我整错。。。
我直接就是设置到10mV（worst case estimation）
mos mismatch主要考虑Vt和K的mismatch,对于diff pair来说，都可以转换成I mismatch
再除以gm得到input referred offset.
具体，似乎70，80年代的讲opamp的论文里面有涉及....
谢谢！能具体的转一个文献给我么？
自己在推倒的时候，遇到一个问题。通常文献（拉杂微，sansen）里面的负载为两个电阻，或者是全差分，双输出形式。里面有：
Vos=(Vgs-Vth)/2*{delta_I/I+delta_beta/beta }+delta_Vth;
文献里面考虑到全差分，输出为零，得到delta_I/I=Delta_R/R;
然后用工艺里面电阻失配，A_beta,就可以搞定了。
我遇到的问题是：因为不是差分输出，且无电阻。不知道如何处理“delta_I/I”这一项。。。望大牛指导一下。。。
去看P.R. gray的书，那里讲input offset voltage的有详细推导
beta是啥，bipolar的 mismatch么？
你那个电路里面，一般来说两个mismatch pair，电流镜和差分对，每对的vt,k
mismatch都是独立变量，
电流镜会造成一个I mismatch，除以差分对的gm就是电流镜造成的input referred
mismatch.
差分对: vth本身×gm/gm, k的mismatch就是DC电流×delta_k/k/gm
可以把每个变量当作独立变量，最后均方和就是整个的offset
看gray的书，详细的很，拉扎味的也有比较详细
delat I/I就是电流镜的mismatch，折算到输入offset要乘以电流除以输入等效GM。
其实你还要考虑电流镜vds不同导致的沟道调制效应的variation，不过没见过论文讨论这玩意，一般忽略，或认为vds总是相等的。
恩，谢谢，已经搞定了，那本书里面有详细的推导过程。
我觉得没有考虑VDS的失配，是因为VDS造成的沟道调制效应是确定的，而mismatch 是一个
随机量。。。
楼主要计算offset，不止随机的，还包括系统的，
其实仔细分析下去，L的variation一定会造成沟道调制的变化，所以他也是随机的。
gray和拉扎稳的分析是基于非深亚微米的，给手算一个参考估量，而深亚微米很多高阶效益影响更多，窄沟道、短沟道、STI应力、甚至应变硅……还手算就没啥意思了。上路的foundry会给你蒙特卡洛仿真文件给你掷骰子，那东西靠谱点。当然最靠谱的还是芯片的测试了，温度梯度、封装应力都会有些影响的。