有没有人研究器件的
时间:12-12
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MOS的可靠工作电压跟哪些参数有关系?
如果是tox的话,
为啥同样是0.13um的工艺有人1.2,有人1.5?
可靠性一样么?
如果是tox的话,
为啥同样是0.13um的工艺有人1.2,有人1.5?
可靠性一样么?
是啊,都是一样的。
但就是看到用不一样的电压
PMOS和NMOS不一样,高阈值和低阈值的不一样,高压管和普通的管子不一样,low leakage管子和普通管子不一样。
如果同样的tox,加上不同的电压,有人分析过器件寿命么》?