大电流的输出管需要做esd保护么

不需要吧。。。esd就那三种mode，都是外部的。没有说跟电路相关的还

我的理解是，大管子边上放esd管也白放，大管子靠自我保护，弱智点就esd画法，费面积，要省么就靠个人经验了，做产品的一般都不敢乱来，尤其是要担责任时，主要是让它均匀导通。
以上是我的个人经验，希望有相关实际实验经验的发言，我发现很多人对此的理解都和我很不一样。

看情况了，如果ESD device性能好过powermos 当然加一个好，否则就没太大必要。

管子看大小的，管子越大自我保护性能越好

首先我假设大管子面积上大于esd管，而esd管是ggnmos结构，打esd的时，漏端对地打正，此时大管子的栅对地阻抗无穷大（因无电源），而栅漏之间有的CGD，这样就是一个RC clamp的ESD结构，并联在漏端的esd管GGNMOS的结构，RC clamp结构的一定容易触发，比ggnmos。触发时，电流先走大管子，ggnmos不起作用的。所以esd管是空气，放了也是浪费面积而已，此时大管子只有靠自我保护。大管子的自我保护，是靠均匀性导通实现的，如果漏端孔到栅的距离过于激进（太近），那么管子很有可能通过非均匀性导通导致esd失效。并且，在一个不能自我保护的大管子边上即使并联上一个面积足够大的esd管，那esd测试还是会失效。
以上是我的个人理解，发现很少有人完全认同我的观点，尤其是上面最后一句，欢迎交流。

从来没有做过
从来没出过事
这种概率得事件,不如等出事了再补救好了.

先不管你的理论是否正确，先说一点好了，谁规定的esd器件必须是ggnmos?如果你有bicmos工艺或者bcd工艺，esd的花样多了，这时候谁还靠power mos的自我保护。
再说了，靠power mos自我保护，你能过多少伏的esd? 如果还要再高，你怎么办？
说到底，ESD这东西是靠工艺/器件决定的，是不是要加取决于是否有好的esd器件。

我是挑cmos工艺举例子啊，mos管当然要比bjt难抗ESD得多啊，绝大多数cmos工艺的esdrule或者guideline都用ggnmos或者栅地间接个几K的电阻。你不能把一句话无限放大他的适用范围吧。

bcd就不是自我保护了？如果要作个15kv的当然不能靠自我保护啊？
你到底想说什么

ggnmos=gate grounded nmos否？
如果是的话，他其实通过一个bipolar trnasistor开启ESD，那个纯粹是NMOS的DS电压触发
RC clamp的R在哪里？一般power transistor的gate都有上拉/下拉电阻，拿nmos做例子
实际上是NMOS的Cgd串联上Cgs//下拉电阻R,
很难说这个为什么比ESD更容易触发
还有，PowerMOS自我保护的原因并不是因为Gate开启，同ESD，也是一种snapback效应
管子越大，能承受的ESD电压越高，
  

不影响信号质量，最好做ESD。
电源和地一定要有ESD。