大家帮我总结一下运放PMOS输入和NMOS输入的优缺点

p管的1/f噪声小，n管相同gm面积小，等效输入负载小。还有看前面共模电平的要求了

带宽这个没谱
用p做输入管肯定用n做负载管
输出阻抗是并联

能讲讲为什么p管的1/f噪声小的原因吗？是不是P管里面闪烁噪声存在于载流子沟道上面
一点，N管的闪烁噪声就是在沟道表面？还有，你说的等效输入负载小我不明白是什么意
思，能解释一下吗？

PMOS的1/f噪声比NMOS管低，因为前者输运空穴是在“埋沟”中，也就是在距硅-氧化物界面有一定距离的地方。尽管如此，PMOS和NMOS晶体管的这个差别始终没有被观察到
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        ref:   Y.Tsividis. Operation and Modeling of the MOS Transistor. Second Ed. ，Boston：McGrawHill， 1999
另外，输入共模范围是个很大的选择因素，次极点也是要考虑的