关于MIM Capacitor

TSMC .18的RF CMOS工艺提供了mimcap_rf的电容,由top  metal, bottom metal,shield metal组成,用mimcap_rf电容做耦合电容时,rf信号的走向是否有讲究?从top--bottom还是bottom--top? 谢谢

一般的mim电容来讲bottom寄生电容大，方向应该没区别
rf的就不知道了，而且你怎么定义信号的走向？

就一般的频段里没有区别，很多rf model里上下寄生电容是一样的
但接地一定要bottom