VCO的一个问题
直稳定在最低频率上，怀疑varactor没有起作用。我用的PMOS的varactor, D/S连在电感
上，Gate直接通过pad接到外面，用电压源驱动，打算看看频率调整范围。但是测试中，
无论varactor的控制电压调整到多少，输出频率始终是最小值。
大多数文章上都用NMOS做varactor，而且控制端是S/D，但是基于仿真，NMOS不如P
MOS，所以用了PMOS。不知哪位高人对曾经遇到过这种情况，指教一下，感激不尽。
莫非控制电压加到很大或者很小，比如大于Vdd或者负压也不能改变频率范围？
说对了，就是这样的。变到负电压的时候有一点变化，但是范围也只有仿真的10％。
我问了一些人，他们说控制线直接送到外部，可能是PCB上的寄生参数太大，因为那个v
aractor就是普通的PMOS，也很小，仿真出来的范围也只有20-60fF左右（对我的电路，
足够了）。
把你的vco电路拿出来看看。估计是VAR极性接反了。
见附件，大部分paper是用NMOS，G接信号，D/S一起接Vctrl。
这个图太笼统，要看的是你vco的内部电路图。
怀疑你的原理似乎有些不对，首先var一般都是使用变容二极管，而不是MOS管，比如18工艺中有专门的varactor，而且应该工作在反偏（正偏实际与理论公式差距太大）。比如变容管P级接VCO中DC点为零的位置，N级外接control voltage.
有mos varactor。一般有三种可作varactor，
1)用diode做varactor，工作在反向，有时叫做PN varactor，可惜可调范围较小一般只能变化30%左右。
2)用普通的MOSFET做varactor，N和P的都可以，但是它们的CV特性不单调，呈漏斗形状；尤其是在+vdd和-vdd时候电容几乎一样，这个要注意。
3)真正的accumulation-mode MOS varactor，也有N和P两种。NMOS varactor是把NFET做在Nwell里，PMOS varactor 是把PFET做在Pwell里。所以它们的S/D区域和Well是同一性质的。这一点和通常的MOSFET是完全不同的。它们的好处就是CV是单调的，呈tanh()函数的形状。而且调制比Cmax/Cmin较大，0.13工艺的最大可以达到4以上。
普遍使用的是第3种。一般用NMOS varactor。PMOS varactor还要多打一次阱。
对啊，所以2）基本不用，得到的KVCO太不线性了。
又该如何实现（3）呢，仿真和layout，我的库里只有普通的NMOS或PMOS，或者（3）
有个特殊的名字，我不知道了，呵呵。
所有的rf process，甚至大部分mixed-signal process都应该有A-MOS或者I-MOS作为varactor（通常A-MOS可能性大一些），当然同时肯定会有spice model，看看文档
3只能寄希望于工艺库提供...
如果vco的震荡幅度很大，比方说rail to rail，那么average的varactor capacitance近乎不变，看看你的测试条件和仿真条件是不是一致。
另外，一般是把varactor的gate接到vco，这样loading比较小，d/s端noise很大，而且会degrade tank's loaded Q。
varactor的biasing有些讲究，你的bulk接到什么电位上？ 什么结构的vco?