DDR2/3 中的刷新问题

在DDR2/3 SDRAM中，DDR3-1600刷新操作间隔7.8us，刷新是担心数据丢失，那么，如果我仅仅使用DDR内部空间的一部分，并且明确知道使用空间的地址边界，那么，我是否可以只对我使用的部分刷新，而无需考虑未使用部分呢?

好像是可以的。命令好像不一样。
具体查DDR 文档。
常用的是：auto-refresh。refresh地址是DDR自己累加的。
好像也可以指定refresh的地址，就是你说的运用。

   谢谢，看了DDR2的一份文档，没有找到用户控制具体刷新地址的"刷新"，只有刷新与自我刷新自我刷新，是为了节能、降耗，此时系统其余部分可以断电！
但不论是哪一种刷新，维持存储芯片内部数据不丢失，都是依靠存储芯片采用内部的地址管理机制完成的！
也就是说，我之前提出的概念是不成立的！
谢谢！

DRAM REFRESH是根據chip內的row counter來對一條row address 做 refresh。用戶是無法控制 row counter，但是可以不對 DRAM 下 REF command，只要針對你所使用的 row 做一次 ACT & PRE，等同做了一次 refresh。因為你使用較少區域，這樣你可以不用每7.8us做一次。

   谢谢！的确，在用户使用的地址空间非常小的时候，这倒不失为一种方案！
但是，这种方案的弊端同样明显！以SAMSUNG DDR3为例，具体体现在：
1)  ACT to ACT command period  (tRC)  [unit: ns]  [only min] [no max]
    DDR3-800: 52.5  /  DDR3-1066: 50.625  /  DDR3-1333: 49.5  /   DDR3-1600: 48.75
2)  ACT to PRE command period  (tRAC)  [unit: ns] [only min] [max: 9*tREFI]
    DDR3-800: 37.5  /  DDR3-1066: 37.5     /  DDR3-1333: 36     /   DDR3-1600: 35
基于这两点，可以确定，通过ACT + PRE来变相地实现”地址可控的刷新“，会导致额外的不小的时间开销。

要考慮 REF後的 tRFC 時間: DDR3 約為 110ns，也大約等同 ACT+PRE的時間。但是如果只針對小區域做刷新，並不需要每7.8us做一次。看你使用的區域佔比，將比例x7.8us即可。因為可以自己控制刷新時間，可以試看看最長可以多久，當然這是指使用(ACT+PRE)，別使用REF command。

   嗯，对，需要对周期数做一个考虑上的折衷！

学习了