关于DDR3的刷新周期
希望高手指点一下，非常感谢~
tREFI是刷新的平均周期。很多DRAM，常温下每次完整刷新的最小时间是64ms，一次完整刷新指的是把所有ROW都刷新一边。DRAM的每次刷新操作只能对一个ROW刷行，因此tREFI=64ms/row number。
如果前面刷新的慢了，必须要在后面把时间补回来。
明白了，不同的刷新针对的是不同的row，所以前面漏掉的后面才要补上
太感谢了！
一般只要在ddr的spec规定的时间内发出的刷新的总的次数能满足要求就可以了，刷新一次ddr的每个row就加一次
这里为什么要一次发8个或者9个刷新的作用是，该刷新的时候就连续发多个刷新，这样就可以合理的插入read write active等命令，对read write的阻塞作用会一定程度地减小，最终造成数据的吞吐速率增加
同时，刷新前是需要下precharge all这个命令，这样也可以节省多个precharge all的命令个数
明白了，非常感谢！
每次刷新都会对所有逻辑bank都刷新吗?
刷新是平均的。不是必须按照一个间隔 。
同问！
每次刷新刷一行，俺也不知道是一个bank的一行还是所有bank的一行……
感觉应该是所有bank一起刷?
嗯，多谢啦，能否回答一下6楼那个问题?
每次刷行是对所有的bank的其中一个row都刷新一次，也就是每个bank内的控制刷行的计数器都加一次，但是不一定每个bank的row是相同的，所以一般64ms指的是遍历一个bank的时间，所有bank是并行刷新的。
赞，太感谢了！
谢谢解释，解开了我一些关于DDR的疑惑
对于micron的DDR3，有的达到了16K的Row，但是refresh count仍然保持8K，所以我感觉并非一个REF命令刷一个Row。
不知道具体怎么操作的?
标题
这中情况下，刷新周期参数配置要小一半才行。
你是指的我说的这种情况吗?
tREFI降低一半?也就是一般情况的7.8变为3.9?
但是micronde手册上并未这样指出啊?
美光的文档上是有提到7.8（64ms/8192)和3.9 (32ms/8192)但是，这两个参数是针对不同的Tc的，不是针对row的
很好！
不管row的数目，平均刷新间隔tREFI都是7.8us。如果row比较多，那么一个刷新命令就会刷新更多的行，7.8us=64ms/8192得到的，这是跟以前的ddr2/ddr兼容。请注意另一个参数最小刷新间隔tRFC(min)，这个参数会随着row的增加而增大，为什么会这样呢?就是因为如果row更多，那么一个刷新命令就要刷新更多的行，那么就要求两个刷新命令之间的间隔更大。
很好，谢谢解释