SRAM中的Column-mux是什么意思？

选择SRAM时，Column-mux这个参数是什么意思，好像是值越大，面积越大，这个参数会对RAM的性能有什么影响呢?
还有Number of max words per bank是什么意思，为什么要划分bank呢?

万分感谢！

column-mux就是位线的多路选择器，逻辑上与平常看到的mux是一回事。column-mux的值如果过大，实现时面积效率可能偏低，导致面积增大。
划分banks是为了性能，单一阵列的行或列过大会导致性能下降。具体多大的阵列合适要看工艺。

    多谢啦，那column-mux的选值就取最小的了?过小的值也会对性能造成影响吗?我看生成的SRAM参数好像column-mux的值越大，漏电功耗就越小。

具体的面积优化要看你要的SRAM大小和compiler的实现，一般情况下column-mux=2是个不错的选择。
总的漏电流基本上与column-mux关系并不非常密切，不知道你看到的数据相关性有多大。

   多谢啦，我也只是看了一个SRAM三种column-mux下对应的漏电功耗，也没有统计和分析过。那么column-mux大的SRAM会有一些其他方面的优点吗?

当RAM的字很短，但字数很多时，如1000*20, 当然用column mux大的好一些，这样面积小，而且宽长比例合适，利于做布局布线。反过来如果是 200 * 100, 就要用小的column mux了。
另外功耗也不一样。这些都可以从ram compiler中找到些规律。你用的SRAM是多大的?

    我生成了一个TSMC的40nm 高速单端口SRAM，深度为1024，宽度32bit，有三种可选择。
   当column-mux为4时，面积17644um^2,漏电功耗3.259uW，最大时钟频率730MHZ。
   当column-mux为8时，面积16425um^2,漏电功耗2.095uW，最大时钟频率603MHZ。
   当column-mux为16时，面积20083um^2,漏电功耗1.783uW，最大时钟频率451MHZ。
   看来面积也不是column-mux越小越大，哈。

多谢分享！