如何判断SRAM读写完成

我在写一个sram的ahb接口。其中ahb总线的频率是50m，而sram的读写时间根据器件不同有很大的变化，有10ns左右的，也有100ns多的。
在这种情况下，我这个接口如何去判断sram读写已经完成。

   sram外围的控制电路（产生正确的时序）?

    恩哈。现在我的方法是：提供足够长的时间进行读写。比如，读写最慢10ns左右，则我提供30~40ns的读写时间。

    这种一般会提供寄存器配置，选择等待多少个时钟周期，根据芯片速度和时钟周期确定等待的周期个数。

    这个方法可以，具有可移植性

不是很懂呢

控制o_hready信号，让AHB stall住是一个办法。这样，对于ARM来说，这是不可见的。但是效率会有所降低。