SDRAM交错式预充电

请教一下，SDRAM整页读写模式下，
1.读操作时同一行不同bank之间切换，比如从bank0-bank1，然后从bank1-bank2，从bank2-bank3，需要预充电吗?如果不需要预充电，提前给出的active命令会影响数据总线上的输出吗?可以提供详细的时序图的吗，文档上只有auto precharge时的时序图，而整页操作不能自动预充电，时序上有不一样的地方吗?
2.写操作时同一行不同bank之间切换，比如从bank0-bank1，然后从bank1-bank2，从bank2-bank3，需要预充电吗?bank0写完到激活bank1需要tWR写入延迟吗?可以提供详细的时序图的吗?
万分感谢！

求高手指点啊！
自己顶起！

这么难啊，

继续在线等，高手请指点一二啊

也对这个有兴趣，一年多了竟然没人回答。

不需要，bank间操作是独立的