与非门的两个输入端有什么区别

有区别么?

本来没区别
你认为弄了一个一个常用一个不常用

哎，面试的时候面试官问的，让我从门级的角度考虑，我不知道有区别没哦！

对称的，没听说过有什么区别。

有区别 不过门级上没区别 晶体管电路级是有区别的, 常变化的信号接在不同位置会影响功耗

你的面试官如果说让你从门级角度考虑,那他可能是想让你把这个门放在门电路里面看,而不是孤立地看,所以即便在门级互换A和B也会导致门电路信号转变率的不同 从而影响功耗;

    考虑阈值电压调制效应呗，或者考虑信号线的长短啊，损耗啊啥的。

面试管表达不清楚吧！

不知道有什么区别，请高手指教。

门级电路应该没有什么区别，在晶体管级，可能会出现6楼所说的情况

Nand gate pmos两个input没区别， nmos有上下之分
多变信号连nmos下面的input会造成transition变大，功耗变多。很好理解，在稳定信号或者不多变信号是0的时候，没区别，因为整个cell电压维持高电压不变， 但是1的时候就有区别了，
这时候多变信号的变化会导致这个单元不停充放电，而当下面的nmos接多变信号的时候，每当0～1时充电就需要多充一个(Cgs+Cgd),
而1～0的时候所有电都放掉，这样功耗会变大，transition就不说了，同理
照着layout 图看很好理解

从管级角度分析，如果两个信号的位置是有差异的
[img][/img]，连在NMOS管的2个输入端到输出端的距离不一样，到地的距离也不一样。
翻转频率高的一般离输出端近。

    CMOS的版图画出来看就清楚了，上面2个PMOS管是并联的，所以输入端互换是等价的，没有关系。而下面2个NMOS则是串联的，上端的NMOS与下端NMOS分别接多变信号时，情况是有差异的，如12楼所说。

no idea............