关于sram的讨论
1。做成一块：sram_2048x8
2。做成两块，每块各1kbyte: sram_1024x8 (x2)
现在从三个反面分析这两种形式的优缺点：
面积：哪个大一些?
功耗：哪种功耗大一些?（当然前提是access的行为一样）
速度：哪种最高频率大一些，或是一样?
欢迎大家来讨论。
不懂，但是顶一下
顶一下！先说说自己的观点：
面积： 2 > 1
功耗： 2 < 1
最高频率： 2>=1, 这应该没什么区别
功耗也是2>1，因为不是纯数字电路，模拟电路占功耗主要部分。频率1快，因为从功能上看2需要一个额外的mux来完成
不懂，帮顶。
读写一个2k的sram所需要的电流肯定大于读写一个1k的sram, 在方案2中可以只打开一个1k的。
关于频率：方案1所需的译码电路也更复杂。
假设有块片内sram: 2kbyte, single port. 现在有两种形式：
1。做成一块：sram_2048x8
2。做成两块，每块各1kbyte: sram_1024x8 (x2)
现在从三个反面分析这两种形式的优缺点：
面积：哪个大一些?
這個不一定,要看sram是由memory compiler產生的,還是用fully layout產生的.
功耗：哪种功耗大一些?（当然前提是access的行为一样）
理論上應該是一樣大
速度：哪种最高频率大一些，或是一样?
最高頻率應該是一樣.但是在physical timing來看,sram1024x8x2的tiiming會比sram2048x8要來的不好控制.因為要考慮clock skew,data skew.
假设该sram是由memory compiler产生。请教fully layout怎么产生片内sram?难道完全依靠layout工具画出来?
面积：一定是2>1，memory的matrix一样都是2k，但是2方案需要两套译码电路和amp，所以绝对是2大。
功耗：考虑到2方案可以只开其中一个sram，所以应该要小些。
速度：应该差不多，2方案，memory的matrix会小一些，但是外面又会多mux，所以应该差不多。
路过！
学习学习···
面积：如果工艺一样,2>1，
功耗：考虑到2方案可以只开其中一个sram，动态功耗应该要小些,但是静态功耗2>1,但是由于操作都1B操作,所以总的功耗1>2;
速度：差不多
关注中。
不用讨论
那memory compiler，生成两个对比下就知道了
好像真的可以哟