请坛里的兄弟姐妹帮忙做几道题，谢谢

1、计算用n沟道MOSFET构成的两输入NAND门和两输入NOR门消耗的最大功率（注意：要求计算的是门消耗的功率，而不是MOSFET消耗的功率）。
2、用2个n沟道MOSFET、2个p沟道MOSFET和电源来构成不消耗静态功率的NAND门。
3、用5V电源、n沟道MOSFET和电阻器构成一个半加器。半加器的输入为两个待求和的二进制量x和y。输出有两个二进制量：和S与进位A。进位就是当一位二进制无法表示当前数值时，向更高级增加的量，比如当x=1， y=1时S=0，A=1。