2012年3D芯片可望实现商用化

随着目前平面化的芯片开始出现多层式结构，半导体制造的基础将在未来几年发生转变。在全球主要的半导体工程领域花费近十年的时间致力于使得这种结构实现可制造化之后，立体的三维芯片(3DIC)终于可望在明年开始商用化──但这其实也已经远落后于先前规划的时程多年了。　　
　　

过去几年来，芯片制造商们一直在努力地使与3DIC互连的TSV技术更加完善。现在，TSV已经可针对2D作业实现最佳化了，例如从平面芯片的正面传送数据到背面的微凸块，采用堆栈芯片的3DIC时代即将来临。　　
　　

去年冬天所举行的国际固态电路会议(ISSCC)上所探讨的主题几乎都是3D芯片，例如三星(Samsung)公司大肆宣传其1Gb行动DRAM，并计划在2013年前量产4Gbit芯片。透过三星的2.5D技术，可使采用TSV的堆栈DRAM与系统级封装(SiP)上的微凸块密切配合。　　
　　

预计今年秋天就能看到在2.5D技术方面的重大成就──赛灵思(Xilinx)公司将提供一种多级FPGA解决方案，它透过封装技术而使四个平行排列的Virtex-7FPGA与硅晶内插器上的微凸块实现互连。台湾集成电路制造公司(TSMC)正在制造这种可为FPGA重新分配互连的硅晶内插器──采用一种以‘塌陷高度控制芯片连接’(C4)技术接合基板封装上铜球的TSV技术。台积电承诺可望在明年为其代工客户提供这种突破性的2.5D至3D过渡技术。　　
　　

然而，2011年所发布最令人惊喜的3DIC消息来自于IBM公司。该公司最近透露已经秘密地大规模生产可用于大量行动消费电子设备的成熟3DIC，不过使用的仍是低密度的TSV技术。由于累积了相当的技术经验，IBM声称目前已掌握了3D的其它工程障碍，并预计能在2012年时克服这些挑战。　　
　　

"凭借一招半式闯天涯的时代已经结束了，"IBM公司研究副总裁BernardMeyerson指出，"如果只想依赖于某种材料、芯片架构、网络、软件或整合，就无法在3D性能战中取得胜算。为了要在3D战场上致胜，就必须尽可能地同时使用所有的资源。"　　
　　

IBM在今年九月宣布已经与3M公司商讨共同创造一种新的设计材料──这种材料可望解决3DIC最后剩余的工程障碍：过热问题。3M公司的任务在于创造一种适合于堆栈芯片之间的填充材料，也是一种类似电介质的电绝缘体，但比硅晶的导热性更佳。3M承诺可在两年内使这种神奇的材料商用化。　　
　　

"现在，我们一直在进行试验，希望能在2013年以前发展出一个可行的方案，以实现广泛的商用化，"3M公司电子市场材料部门的技术总监程明说。　　
　　

然而，对于IBM-3M共同开发的努力能否使双方公司处于3DIC竞赛的领先位置，一些分析师们对此仍存疑。
　　　　

"3M正在制造一种可为3D堆栈解决散热问题的填充材料，"MEMSInvestorJournal先进封装技术的首席分析师FrancoisevonTrapp说。"虽然这绝对是在3DIC量产前必需解决的挑战之一，但我认为它不见得就是解决3D堆栈其余问题的最后关键。"　　
　　

3D无处不在　　
　　

即使IBM公司声称已在3DIC生产方面领先，但市场上也不乏其它竞争厂商。事实上，美国TezzaronSemiconductor已经为其钨TSV制程提供3DIC设计服务多年了。Tezzaron的FaStack制程可从厚度仅12亳米晶圆的异质芯片中制造出3D芯片。它能以每平方毫米1百万TSV深次微米互连的密度为堆栈DRAM提供WideI/O。　　
　　

连续创业的企业家ZviOr-Bach指出，3DIC设计的焦点必须跳脱TSV至超高密度的单片式3D。Or-Bach会这么说，一点都不令人意外，因为他最近还成为了IP开发公司MonolithIC3DInc.的总裁兼CEO。另一家新创的BeSang公司也声称即将制造出不必使用TSV技术的单片式3D内存原型芯片，可望在2012年首次亮相。　　
　　

然而，当今最先进的技术还是采用TSV的3D芯片堆栈，几乎每一家主要的半导体公司都专注于这项技术的研发。"IBM公司更挑战该技术极限，透过与3M公司的合作以寻求超越当前架构的其它可能性。然而，IBM在3D方面取得的每项进展也将激起像三星(Samsung)、英特尔(Intel)与台积电等竞争厂商的创造力，这些厂商们都已在3DIC方面各自展开相关开发工作，"市场观察公司TheEnvisioneeringGroup总监RichardDoherty表示。　　
　　

用于制造3DIC的技术并不是最近才开发的，而当今的工作重点在进于一步提升这些技术。例如，目前许多CMOS成像器以TSV将画素数据从基板前面传至背面，而芯片堆栈的概念可追溯到晶体管先驱WilliamShockley早在1958年时的专利。此后，堆栈芯片的配置常常被加以利用──例如在ASIC上堆栈MEMS传感器，或在处理器核心上堆栈一个小型DRAM－－但通常是使用焊线接合的方式来实现互连。　　
　　

从焊线接合过渡到TSV的方式，使得