TD-LTE芯片：多模需求强烈 功耗难题渐破

    “中兴微电子的LTE/TD-SCDMA/GSM多模终端芯片ZX297502已经小规模发货，达到了商用水平。产品形态包括数据卡、CPU和uFi。今年年底将推出测试手机，明年中兴微电子将推出LTE/TD-SCDMA/WCDMA/GSM全模终端基带芯片，以及和AP集成的LTE单芯片智能手机解决方案，这些芯片将在2014年支持LTE终端的大规模发货。”朱晓明告诉记者。

    功耗和多模切换需下工夫

    在多模的互操作方面，未来仍需要做大量的测试与验证工作。

    多模切换是TD-LTE试商用第二阶段测试和未来新的测试重点，是系统、终端、芯片解决方案进入扩大规模的网络的前提条件。因为，在TD-LTE发展初期，在TD-LTE网络覆盖不是非常好的情况下，需要TD-LTE/TD-SCDMA/GSM多种模式保证用户业务的连续性，因此支撑多模的系统设备和多模终端，以及不同厂商多模产品互操作的稳定性、可靠性将关系到未来商用的用户体验。此外，多模LTE智能手机一般需要配备3G芯片和LTE基带芯片，这样的架构对功耗优化带来很大的挑战。如何解决，也考验着芯片企业的能力。

    目前，中兴微电子推出的ZX297502支持LTE Cat-3的峰值速率，在FDD模式下能达到下行100Mbps、上行50Mbps的并发。功耗上，峰值速率下的DBB功耗也控制在400mW以内，能够满足商用要求。在多模切换上，ZX297502的多模互操作能力和测试在TDD互操作上也表现突出。“明年我们将LTE峰值速率提升到Cat-4，下行速率增加到150Mbps，同时进一步优化功耗满足手机的要求，在多模切换上进一步支持FDD多模支撑。”朱晓明指出。

    展讯市场经理王舒翀指出：“展讯LTE芯片在测试中表现出良好的性能，在数据传输速率、功耗等方面都有较好的表现。展讯也会通过新的低功耗技术和优化算法，加强与仪器仪表和系统网络的测试，进一步提升芯片速率和多模切换性能，降低芯片功耗。”

    创毅视讯则表示，目前芯片的速率、功耗、多模切换性能方面能够满足要求。创毅视讯TD-LTE多模智能手机采用的是40nm工艺WarpDrive 5000基带芯片，支持D-LTE/TDS/GSM/GPRS/EDGE多模制式。WarpDrive 5000采用超低功耗设计，最高可实现150Mbps的下载速率和50Mbps的上传速率，支持多种上下行配比及同频、异频测量和切换，支持CAT4速率等级。此外，WarpDrive 5000是率先支持先进的双流波束赋形TM8传输技术的基带芯片。未来，创毅将进一步降低芯片功耗，即将于年底推出的WarpDrive6000的目标就是为手持类终端而准备。

    总之，目前市场对多模芯片的需求非常强烈，虽然目前多模终端还面临射频方面的挑战，但各个厂家都逐渐形成自己的应对之道，但在多模的互操作方面，未来仍需要做大量的测试与验证工作。

    企业点评

    展讯：以实力证明一切

    为实现LTE终端在不同国家间的漫游能力，展讯在芯片设计和算法上进行优化，实现可支持TD-LTE和FDD LTE的主要频段。

    针对语音业务，展讯考虑到不同方案对芯片架构和协议处理的影响，并对这些语音方案都有支持计划。其推出的LTE芯片SC9610可以达到Cat3等级，即最大下行100Mbps和上行50Mbps的速率，后续将推出支持Cat4等级的LTE芯片，最大下行速率可以提高到150Mbps。

    经过几轮TD-LTE测试，TD-LTE芯片已达到测试要求，并且明年即可实现TD-LTE芯片的商用供货。

    为保证LTE大流量，展讯通过新的低功耗技术和优化算法进一步提升芯片速率和多模切换性能，从而降低了芯片的功耗。

    面对国外竞争，展讯凭借其技术积累作为竞争的最大筹码，并尽大力度给客户提供支持。在即将到来的LTE时代，展讯表现出足够的信心来面对新一轮的较量。

    中兴微电子：实现差异性多模竞争

    中兴微电子在LTE芯片上，从一开始就以多模作为最重要的开发需求进行设计和开发。从MODEM的软件和硬件设计上入手，从架构上考虑到多模扩展和互操作的要求,充分实现了差异化的多模竞争策略。

    在语音解决方案上，中兴微电子推出的LTE多模芯片支持CSFB(CS Fallback)和SR-VCC的语音解决方案，能够适用于中国市场并快速满足用户体验。也从长远考虑，逐步优化能耗问题。

    目前，中兴微电子LTE多模终端芯片发展步伐走在前列，其LTE/TD-SCDMA/GSM多模终端芯片ZX297502芯片已经小规模发货，达到了商用水平。此