CMOS图像传感器简史，看CMOS传感器发展趋势

图7：滚动（左）与全局（右）快门模式

3D堆叠CIS
手机的增长是过去5年来CIS单位出货量增长的主要动力。随着CIS市场收入的增长，研发支出和专利申请也在增加。这一努力带来了先进的移动摄像系统，其中包含了一些新技术，例如：

1用于快速自动对焦（AF）的相位检测像素阵列（PDPA）

2 ?1μm生成像素，具有优越的低光灵敏度

3先进的芯片堆叠，具有与图像信号处理器（ISP）晶圆连接的BSI CIS晶圆

4 视频录制高达4K

3D堆叠图像传感器由在逻辑裸片上面对面堆叠的BSI图像传感器裸片组成。投资堆叠式芯片CIS开发的动机各异，具体取决于制造商，但可概括为：

1添加功能

2减少形式

3 支持灵活的生产选择

4有助于3D堆叠中每个裸片的优化

索尼在2012年推出了全球首款用于消费电子产品的堆叠芯片CIS相机系统，2013年初，平板电脑中使用了8 MP ISX014堆叠芯片。第一代芯片采用了上一代TSV，将索尼制造的90nm CIS裸片的pad与65nm ISP的pad连接起来（来源：Chipworks）。

索尼的13 MP IMX214第二代堆叠CIS芯片的制造类似于其90/65 nm（CIS / ISP）技术，并于2014年用于iPhone6 / 6s中。

最近（2017年2月），索尼公布了3层CIS器件，包括顶层BSI传感器或CIS光电二极管，中层DRAM单元阵列和底层逻辑作为ISP（图8）。它是具有1um x 1um像素尺寸的23MP图像传感器，使用新的混合键合结构（常规结构类似于TSV）。

索尼还在2017年5月发布了其首款三层960 fps相机，并配备了三明治式堆叠的DRAM。

图8：索尼3层堆叠CIS器件（来源：ISSCC 2017＆TechInsights）

3D堆叠CIS的历史
在表2中，我们总结并展示了3D堆叠CIS的历史（来源：www.3DIC.org）。我们可以清楚地看到，技术从氧化物粘合+通过最后的TSV堆叠技术转移到混合键合技术，再到最近的顺序3D集成技术。

台湾国立纳米器件实验室和清华大学的研究人员最近展示了一个单片3D图像传感器。他们按顺序制造了单层（小于1nm）的TMD（过渡金属二硫属性元素）光晶体管阵列，使用CVD生长的MoS2，通过高强度的内部连接转移到3D逻辑/存储器混合IC中。

表2：堆叠CIS的历史（来自www.3DIC.org）

现在和未来的CIS技术/市场/玩家
未来CIS技术采用的路线图受到三个限制或驱动因素的推动：

1尺寸（3维，相机模组的X，Y和Z）

2图像质量（分辨率，低光性能，对焦（AF）和稳定性（OIS））

3功能（慢动作影像，图像分析，运动控制）

BSI，3D堆叠BSI，3D混合以及3D顺序集成都是影响未来CIS技术应用的关键技术。

多年来，CIS市场的竞争格局已经发生了很大的变化。索尼是市场、生产、技术的领导者。Omnivision和三星一直保持强劲，Galaxycore和Pixelplus这样的新玩家也在崛起。同时，集成器件制造（IDM）模型一直是佳能和尼康的强大动力来源，它们都经受住了数码相机的缓慢发展。至于松下，它已经与Tower Jazz成立了一家合资公司，以协助其在高端成像应用领域的探索。

今天，CIS行业是由手机和汽车应用推动的。智能手机摄像头的创新将会继续，尽管这个大批量应用的竞争非常激烈。为了保持竞争力，CIS制造商正被迫将越来越多的功能整合到移动摄像机中（见图9）。

图9：移动摄像机功能的转型（来源：Yole）

智能手机的应用正处于CIS市场份额的领先地位，但许多其他应用将成为CIS未来增长的一部分。许多IDM和无晶圆厂公司正在为新兴的更高利润率的成像应用开发芯片，如汽车、安全、医疗和其他领域。这些应用中出现了巨大的机会，推动了新兴供应商和现有供应商的市场和技术工作。这些新兴的机遇正在将移动成像技术推向其他增长领域，我们可能会看到从视觉成像到视觉感知以及其他交互式应用的转变。