美国Ziptronix对5层CMOS和光电二极管进行3维封装

　　美国Ziptronix与Raytheon Vision Systems（RVS）合作，对5层CMOS元件和光电二极管进行了3维层叠。在层叠时，采用了Ziptronix开发的名为"Direct bond interconnect（DBI）"的3维封装技术。

　　采用DBI技术，在芯片与晶圆、晶圆与晶圆接合时，也可在室温下实现3维封装。布线间距在10μm以下，布线宽度为2μm左右。此次在形成有CMOS元件的晶圆上，层叠了RVS公司的芯片。布线间距为8μm。可在确保接合部连接性的同时，通过所有光电二极管获取图像。（记者：河合 基伸）

对5层CMOS元件和光电二极管进行3维封装

在形成有CMOS元件的晶圆上层叠RVS的芯片

通过3维封装的芯片获取的图像