后摩尔定律时代：三大发展方向

将在7纳米放弃硅。锑化铟(InSb)和铟砷化镓(InGaAs)技术都已经证实了它们的可行性，并且两者都比硅的电子迁移率高、耗能少。碳，包括纳米管和石墨烯目前都处在实验室阶段，可能性能会更好。

　　当然，新的路线图并没有完全放弃原本的几何缩减方式。除了三栅极晶体管，也许到2020年左右，会出现采用环栅晶体管结构和纳米线。到21世纪20年代中期可能会有整体三维芯片，一块硅上多层组件就构成了一个单芯片。

　　ITRS报告预测到2019年时finFET工艺也将出局，需要用环栅晶体管（"gate-all-around transistor）结构。下一步晶体管将用纳米线以及变成垂直型器件。到2024年时半导体器件将面临热的限制,因此要迎接微流体沟道（microfluidic channels），可以增加晶体管散热的有效表面积。

　　推动半导体业进的进步，之前由PC，互联网，目前还在发力的是移动时代，估计未来大的应用市场有汽车电子，智能嵌入式时代，以及物联网时代。

　　但就目前来说，摩尔定律的打破已经成为新的常态。那个以摩尔定律为向导，遵循规则亦步亦趋的时代，到头了。