利用SiC和GaN实现AC-AC转换器薄型化

GaN功率晶体管由美国Transphorm制造。该晶体管采用二合一功率模块，配备单桥臂逆变器电路。额定电压为600V，输出电流为65A，导通电阻为34mΩ。

由于输入容量只有相同额定电压的超结构造Si MOSFET的1/10以下，因此栅极电路的规模非常小。栅极电路也很简单，主要由栅极驱动IC和栅极电阻等构成。因栅极电路简单，布线电感较小，实现了稳定的高速开关。

今后，为实现产品化，计划降低辐射电磁噪声、提高功率模块的可靠性、验证系统连接、降低电抗器的损耗等。