基于MCU和基于ASIC的LED可控硅调光方案对比与解析

作为一种新的、最有潜力的光源，LED照明以其节能、环保的优势越来越受到人们重视。加上国家和地方政府的政策鼓励，我国的LED照明产业进入了加速发展阶段，运用市场迅速增长。在室内照明方面，用LED灯替代传统的可调光白炽灯或者卤素灯也将是大势所趋。由于传统的白炽灯调光器采用可控硅调光器，用LED灯替代白炽灯时，要求不能改变原有线路，还要能适应现有的可控硅调光器。针对这一目标市场，目前很多大的半导体厂商（包括国际知名半导体厂商）都已经推出了自己的LED调光ASIC，但由于LED固有的发光原理，目前市面上的LED ASIC调光案都还不是很成熟，都有其固有的问题，本文就将针对目前的调光方案做一个详细的分析，并介绍我们基于MCU的调光方案。

1 LED的发光特性

目前的新技术使LED能够达到很高的功率水平，LED的功率能够达到1W，甚至有些达到5W，光效达到60-85LM/W，这种LED设备称为高亮LED(HB-LED)。目前我们用在照明上LED都是HB-LED，一般都是选择1W的LED通过串并联的方式组成大功率LED灯，尤其以串联为主。这种LED的VF为3.4V±2%，正向电流IF为350mA左右。其VF -IF曲线如图1.1所示。

图1.1 LED VF -IF曲线 从图1中可以看出，当加在LED两端的电压没有达到3.4V之前，VF随着的增加而增加。当加在LED两端的电压达到3.4V时，VF的变化很小，增加LED两端的电压只会增加流过LED的电流，从而改变LED的亮度，直到增加到LED的最大IF (350MA)，LED达到最大亮度。而VF一直被箝位在Vfmx (3.4V)左右。并且Vfmx会随着温度和LED工作时间的变化而变化，变化曲线如图1.2所示。　　 图1.2 VF相对变化对温度的变化曲线 从图1.2可以看出，随着温度的上升，VF会逐渐变小，相反，当温度降低时，VF会增加。当LED的温度上升到85度时, VF已经有变成3.25V（3.4V-0.15V）,相反当LED温度降到-40度时，VF变成3.6V（3.4V+0.2V）。 所以在LED调光时，要想让LED调到一个固定的亮度，就必须要保证一个固定的IF，也就说要采用恒流控制。 还有另一种方式：恒功率控制。这也是目前市面上调光ASIC普遍采用的方式。但恒功率控制有其固有的缺陷。 2 恒功率控制LED调光方式 2.1 理论依据 恒功率控制方式一般采用单级FLYBACK拓扑结构，基本框图如图2.1所示。 图2.1 恒功率控制方式框图 从图中可以看出与一般开关电源的FLYBACK相比，恒功率方案多了一个调光信号控制回路，用于检测输入可控硅的导通角和输入电压，从而给出相应的调光信号。同时，方案中没有反馈信号，完全开环控制，由原边控制占空比的大小从而控制输出功率的大小，。其控制的理论依据为： 式中： 　　P为输出给LED的功率； 　　η为转换器的效率，主要由变压器决定； 　　IP为原边变压器的平均电流； 　　LP为变压器的原边电感； 　　f为FLYBACK的开关频率。 恒功率控制方式都是先预知LED的输出功率P，理论上，一旦变压器设计好之后，f，LP，η都已确定，只要改变原边电流IP的大小，就可以改变输出功率的大小。再由于： 式中： U为加在变压器原边的电压，即输入电压；D为占空比；f为开关频率；LP为变压器的原边电感。根据式2.2可知，IP与D成正比，只要改变占空比D就能改变原边电流的大小，也就能改变输出功率的大小。 2.2 优缺点 理论上，这种拓扑结构简单，成本低，但仔细分析就会发现，这种方式存在很多弊端。首先是η很难控制，往往偏差很大，再加上采用开环控制，精度很难保证，在批量时，用同样的占空比都会导致输出功率偏差很大，直接体现在灯上就是LED的亮度会偏差很大，很难保证其一致性。 其次，恒功率控制都是预先假定输出功率是恒定的，比如用9个1W（VF=3.4V, IF=350MA）的LED串联起来用做一个9W的PAR灯，那么设计时候就会用P=9W来计算。但实际上每个LED的VF都会偏差，偏差值如表2.1所示： Tab2.1 LED Electrical Characteristic（T=25℃） 从表格2.1可以看出，虽然每个LED的偏差都不会太大， 但当LED串联起来时，总的偏差就不能忽略了。PAR灯的实际功率可能不止9W或者不到9W,直接反应在灯上就是最大亮度没有到额定值或者比额定值要亮。当PAR灯的实际功率不到9W时，而驱动的输出功率依然是9W，那么流经LED的电流IF就已经超过了额定的IF，长期工