大功率高频电镀电源的软开关技术分析

目前电镀电源应用越来越广，人们对其品质要求也越来越高。随着半导体技术的进步，电镀电源逐渐向高频高效化、大功率化发展，使得电镀电源具有更高的功率密度、快速的响应能力以及更小的体积。但常规PWM变换技术是一种硬开关模式，开关损耗大、器件温度过高等严重制约了开关电源工作频率的提高，已经无法满足要求。软开关技术具有降低电力电子器件开关功耗、提高开关频率、降低电磁干扰、改善器件的工作环境等优点，是近10年来国际电力电子领域研究的热点。因而，采用软开关技术研究大功率高频软开关电镀电源是电镀工艺发展的必然。

　　1 大功率电镀电源软开关技术的分类

　　大功率高频电镀电源实际上是一种低压大电流的整流装置。通常采用PWM DC—DC移相全桥变换器拓扑。

　　由于PWM DC—DC移相全桥变换器的超前桥臂只能实现ZVS，而滞后桥臂可以实现ZVS和ZCS，可以将PWM DC—DC移相全桥变换器的软开关方式分为两类：

　　(1)ZVS方式：零状态工作在恒流模式，超前桥臂和滞后桥臂均实现ZVS，适合于电力MOSFET;

　　(2)ZVZCS方式：零状态工作在电流复位模式，超前桥臂实现ZVS，滞后桥臂实现ZCS，适合于IGBT。

　　2 ZVSPWM DC-DC移相全桥变换器

　　基本ZVS PWM DC—DC移相全桥变换器，用变压器的漏感或原边串联电感和功率管的寄生电容或外接电容来实现零电压开关。它的电路结构如图1所示。它是一种具有优良性能的移相全桥变换器，两个桥臂的开关管均在零电压软开关条件下运行，开关损耗小，而且具有结构简单、电源小型化、高频化的发展趋势。但是移相全桥ZVS变换器存在滞后桥臂ZVS实现比较困难、副边占空比损失和整流桥寄生振荡等问题。针对上述问题，国内外文献提出了各种各样的拓扑电路。

　　

　　1)实现滞后桥臂ZVS、减少副边占空比丢失

　　ZVS PWM DC—DC移相全桥变换器的滞后桥臂实现ZVS比较困难，特别是滞后桥臂开关管在轻载下难以实现ZVS，使得它不适合应用于负载大范围变化的场合。为了让滞后臂实现ZVS更加容易，需要增大原边电流。原边电流的增大可以靠增加励磁电流(主变压器加气隙，减小励磁电感)，或增大漏感(或外加的谐振电感)来实现。但上述方法均会增加占空比的丢失。可以发现占空比丢失与ZVS软开关条件存在矛盾，所以谐振电感Lr的大小需要折衷选择。

　　为了实现零电压开关的同时又能减小副边占空比丢失，可采取下列办法：

　　(1)将移相ZVS变换器中的线性谐振电感改用饱和电感。如图2(a)所示。饱和电感的特性是：当脱离饱和时，表现为一个很大的电感;当其进入饱和状态时，又表现为一个很小的电感。但该电路不足之处就是饱和电感以很高的频率在正负饱和值之间切换，磁芯损耗会很大，温度也会很高。

　　

　　(2)在滞后臂增加辅助电路改善滞后臂开关管的软开关环境，其基本方法是给滞后臂并联一辅助谐振电路，利用辅助谐振电路中的电感帮助漏感实现滞后臂开关管的零电压开关，使其在任意负载和输入电压范围内实现零电压开关，并且大大减小占空比丢失。图2(b)增加了一个LC电路，漏电感和辅助电路的电感电流同时给并联电容充放电，从而在较宽的负载范围内实现滞后桥臂的ZVS。

　　2)抑制整流桥寄生振荡

　　关于抑制整流桥寄生振荡的缓冲电路，国内外文献提出了各种电路拓扑，下面介绍常用的RC缓冲电路和主动钳位缓冲电路。

　　(1)RC缓冲电路。在图3(a)中，增加一个由Rs和Cs组成的串联支路分别并联在四个整流管的两端。利用二极管上的并联RC支路起钳位作用，并且电容Cs的电荷都释放在电阻Rs上。因此，这种吸收网络是有损耗的，相当于把整流二极管的关断损耗转移到了RC缓冲电路上，因而不利于提高变换器的效率。

　　(2)主动钳位缓冲电路。图3(b)是一种主动钳位电路，它由钳位开关管VTs、钳位二极管VDs和较大容量的钳位电容Cs组成。这种缓冲电路也可以将整流桥上的电压钳位在一个适当的电压值。由于该缓冲电路中没有电阻，而且VTs要求是零电压开关，因而没有损耗。但它增加了一个开关管，因而也增加了一套控制电路和驱动电路，也就增加了电路的复杂性。

　　

　　3 ZVZCS PWM DC-DC移相全桥变换器

　　利用饱和电抗器Ls和隔直电容Cb所实现的零电压、零电流全桥移相PWM软开关变换电路是ZVZCSPWM电路中应用最广泛的一种。如图4所示，C1和C2分别为功率开关管VTW1和VTW2的并联电容，Lk为变压器的漏电感。它简单、高效、容易实现，而且在很宽的负载变化范围内都能实现软开关，特别适用于以IGBT作为功率器件的中低电压大电流输出的场合。

ZVZCS移移相全桥变换器滞后臂软开关的实现关键在于使原边电流复位。实现电流复位的方法有很多种，可以考虑在变压器原边