技术讲座：用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率
时间：05-02
来源：互联网
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载流子的产生和消失会耗费时间，损失容易变大。
比如Si，在耐压1kV以上的用途方面通常是晶体管使用IGBT，二极管使用PIN二极管。
SiC的话，耐压4kV以下用途时晶体管可使用MOSFET等单极元件，二极管可使用肖特基势垒二极管（SBD）等单极元件。但在耐压4kV以上时导通电阻超过10mΩcm2，单极元件不具备实用性。因此必须使用双极元件。
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