针对DDR2-800和DDR3的PCB信号完整性设计

MM组里，对于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓扑结构里，带有少的短线菊花链拓扑结构和树形拓扑结构是适用的。

10. 案例

上面所介绍的相关规则，在DDR2 PCB、DDR3 PCB和DDR3-DIMM PCB里，都已经得到普遍的应用。在下面的案例中，我们采用MOSAID公司的控制器，它提供了对DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面，采用了 IBIS模型，其存储器的模型来自MICRON Technolgy,Inc，对于DDR3 SDRAM的模型提供了1333 Mbps的速率。在这里，数据是操作是在1600 Mbps下的。对于不带缓存（unbuffered）的DIMM（MT_DDR3_0542cc）EBD模型是来自Micron Technology，下面所有的波形都是采用通常的测试方法，且是在SDRAM die级进行计算和仿真的。图2所示的6层板里，只在TOP和BOTTOM层进行了布线，存储器由两片的SDRAM以菊花链的方式所构成。而在DIMM的案例里，只有一个不带缓存的DIMM被使用。图9-11是对TOP/BOTTOM层布线的一个闪照图和信号完整性仿真图。

图9: 只有在TOP和BOTTOM层走线的DDR3的仿真波形

（左边的是ADDRESS和CLOCK网络，右边的是DATA和DQS网络，其时钟频率在800 MHz，数据通信率为1600Mbps）

图10: 只有在TOP和BOTTOM层走线的DDR2的仿真波形

（左边的是ADDRESS和CLOCK网络，右边的是DATA和DQS网络，其时钟频率在400 MHz，数据通信率为800Mbps）

图11: 只有在TOP和BOTTOM层走线的DDR3-DIMM的仿真波形

（左边的是ADDRESS和CLOCK网络，右边的是DATA和DQS网络）

最好，图12显示了两个经过比较过的数据信号眼图，一个是仿真的结果，而另一个是实际测量的。在上面的所有案例里，波形的完整性的完美程度都是令人兴奋的。

图12: 800 Mbps DDR2的数据信号仿真眼图(红) 和 实测眼图 (蓝)

11. 结论

本文，针对DDR2/DDR3的设计，SI和PI的各种相关因素都做了全面的介绍。对于在4层板里设计800 Mbps的DDR2和DDR3是可行的，但是对于DDR3-1600 Mbps是具有很大的挑战性。