零基础学FPGA （二十二） SDR SDRAM（理论篇）

三、参数总结
　　好了，说了这么多，是不是感觉SDRAM的操作并不难，那么我们就来总结一下之前出现的一些参数吧，这些参数的消化，能够帮我们更好的理解SDRAM的工作原理
　　1、RAS ： 行有效
　　2、Trcd ： 行地址到列地址的延时时间，单位是周期数，一般为2到3个时钟周期
　　3、CAS ： 列有效，同时发送读写命令
　　4、 Tcl ： 潜伏期，发生在读状态，数据有效到出现在数据总线上的延时，单位为周期数
　　5、 Tac ： 数据从存储单元里出来之后，已经进入S-AMP通道进行驱动与放大，到出现在数据总线上的时间
　　6、 Toh ： 数据出现在数据总线上，并保持一段时间
　　7、 Trp ： 在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送RAS行有效命令打开新的工作行
　　8 、Twr ： 写状态时的写回延时，写入的数据进入SDRAM存储单元的时间
　　那么理论部分就到这里吧，下一篇文章将会写一下整个操作SDRAM的架构图和代码解析，写了有好几个小时，谢谢大家~