Xilinx FPGA入门连载49：FPGA片内RAM实例之功能仿真

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         打开文件夹sp6ex18下的ISE工程。

如图所示，切换到“Design à Simulation”界面。鼠标选中“vtf_sp6.v”文件。

         此时，在“Processer:vtf_sp6”下，选择“SimulateBehavioral Model”，然后点击鼠标右键，弹出菜单中选择“ProcessProperties…”。

         如图所示，确认设置好在安装Modelsim过程中编译好的ISELibrary路径。设定完成后点击“OK”回到ISE主界面。

         如图所示，双击“Simulate Behavioral Model”开始仿真。

         接着，Modelsim中我们可以查看读RAM的波形。

         RAM操作的规则大体可以归纳如下：

●  写使能信号ram_wren拉高时，当前的地址Ram_addr和写入数据ram_wrdb有效，即ram_addr地址的写入数据ram_wrdb，如波形中往01地址写入数据56、往02地址写入数据57……。

●  无论当前的写使能信号ram_wren是否有效，地址ram_addr对应的数据总是在下一个时钟周期出现在读数据总线ram_rddb上，如波形中01地址对应的数据56、02地址对应的数据57……。