深亚微米CMOS IC全芯片ESD保护技术

界触发电流才会被触发导通，改变二极管在该HINTSCR器件与HIPTSCR器件结构内的面积大小即可设计出不同触发电流的HINTFSCR器件与HIPTSCR器件。HINTSCR器件和HIPTSCR器件的ESD保护能力与前述互补LVTSCR器件相同，此处不再赘述。值得一提的是，该保护电路具有极高的抗噪声干扰能力，因此更适合于输出级：ESD保护电路。图2是其应用在集成电路输出级的等效电路图。