看看那些曾经改变世界的芯片

random access memory），简称RAM，作为其工作空间。现在的RAM芯片有两种特性：静态RAM和动态RAM，或简称SRAM和DRAM。只要计算机开启后，SRAM就保持内容不变，但DRAM必须不断更新。DRAM相对SRAM的优点是每个存储单元都很简单，这意味着可以将更多的数据打包到给定的空间中。今天大多数计算机都使用DRAM作为主存储器。

 

第一款DRAM芯片是英特尔推出的。但Mostek的4KB DRAM芯片带来了一个关键的创新，一种被称为地址复用（address multiplexing）的电路技术，由Mostek共同创始人Bob Proebsting发明。通常，芯片使用相同的引脚来访问内存的行和列。这是通过依次发送行和列寻址信号实现的。因此，芯片不需要太多的引脚，同时由于内存密度增加，制作成本降低。它只存在一点兼容性上的问题。Mostek 的4096使用16针脚，而德州仪器，英特尔和摩托罗拉出品的内存则有22针脚。

 

Mostek将未来压在了这款芯片上。高管们开始到处向客户、合作伙伴、新闻媒体甚至自己的员工进行宣传。当时刚被雇用的 Fred K Beckhusen 被安排对4096进行测试。Beckhusen 回忆道，有天Proebsting和CEO LJ Sevin半夜2点来到他的夜班岗位进行了一次研讨会。Beckhusen说："他们当时大胆地预测，只需6个月，就不会有人关心22针脚的DRAM了。"他们是对的。4096和它的后续者成为了主流的DRAM，地址复用技术也成为了处理更大的内存的标准方式。

 

 

东芝NAND闪存（1989）  

 

 

Toshiba NAND Flash Memory

 

• 制造商： 东芝（Toshiba）

• 类别： 记忆 & 存储

• 年代： 1989

 

当东芝的一名工厂经理舛冈富士雄（Fujio Masuoka）决定重新开发半导体内存时，闪存（flash memory）的发明传奇也就此拉开了序幕。不过我们过会儿再讲闪存。首先，让我们了解一点历史。

 

在闪存出现之前，存储大量数据的唯一方式是使用磁带，软盘或硬盘。许多公司都在努力设计固态的替代方案，但是当时可以得到的选择，例如EPROM（可擦可编程只读存储器，需要用紫外线照射来擦除数据）和EEPROM（多出的E代表"电"，不需要紫外线擦除）都无法低成本地存储大量数据。

 

进入东芝后，舛冈在1980年聘请了四名工程师共同进行一个半秘密的项目，目的是研发一个可以存储大量数据，而且成本低廉的内存芯片。他们的策略很简单。"我们知道只要晶体管的尺寸缩小，芯片的成本就会持续下降。" 舛冈说道，他现在是Unisantis电子公司的首席技术官。

 

舛冈的团队设计了EEPROM的一种变体，它的特征是一个存储单元只包含单个晶体管。当时，传统的EEPROM每个存储单元需要两个晶体管。这是一个看似很小的改动，但大大地降低了芯片的成本。

 

为了寻找一个吸引人的名字，他们根据芯片的超快速擦除功能而取名"闪"（flash）。你也许会认为东芝很快就将这个发明投入生产，并且看着它带来滚滚财富。错了。你们对这家庞大的公司如何利用它内部的创新不够了解。实际情况是，舛冈的老板对他说，好了，忘掉这个发明吧。

 

当然了，舛冈怎么可能忘记他的发明。在1984年，舛冈在旧金山的IEEE国际电子设备大会展示了他的闪存的设计图纸。这促使英特尔公司开始开发基于"或非"（NOR）逻辑门类型的闪存。1988年，英特尔发布了一款256KB的芯片，用于汽车、计算机以及其他大众市场设备，为英特尔带来了不俗的新业绩。

 

最终，这促使东芝将舛冈的发明投入生产。舛冈的闪存芯片基于NAND技术，能够提供更高的存储密度，但被证明在制造工艺上更复杂。在1989年，东芝的第一款NADA闪存终于投入市场，并取得了成功。而且正如舛冈所预测的那样，价格不断下降。

 

20世纪90年代末，数码摄影开始采用闪存，使得闪存出现了爆发，东芝成为这个数十亿美元市场中最大的玩家之一。但与此同时，舛冈与东芝其他高管的关系恶化，最终离开了东芝。（后来舛冈以知识产权纠纷起诉东芝公司，并获得了8700万日元的赔偿。）

 

今天，NAND闪存已经成为手机、照相机、音乐播放器等各种小设备，甚至航天探测器的关键部分，并且开始取代硬盘成为笔记本和台式电脑的首选存储介质。

 

 

柯达KAF-1300图像传感器（1986）  

 

 

 

Kodak KAF-1300 Image Sensor

 

 

• 制造商： 科达（Kodak）

• 类别： MEMs and Sensors

• 年代： 1986