确定GaN产品可靠性的综合方法

一个特殊电感开关试验模型中进行应力测试，并且在实际产品配置中运行部件。

　　参考文献

　　1. S.Singhal等，"一个GaN工艺平台的质量鉴定和可靠性"，CS MANTECH会议，第83页，2007年

　　2. JEDEC标准JESD471，"集成电路的应力测试决定的质量鉴定，"2012年7月

　　3. JEDEC标准JESD22-A108D，"温度、偏置和运行寿命"，2010年11月

　　4. AEC-Q100，修订版本H，"针对集成电路，基于故障机制的应力测试质量鉴定，"2014年9月

　　5. AEC-Q100，修订版本D1，"针对汽车应用中分立式半导体的基于故障机制的应力测试质量鉴定，"2013年9月

　　6. JEDEC标准JESD85，"计算以FIT为单位的故障率的方法，"2001年7月

　　7. JESD标准JESD94A，"使用以知识为基础的测试方法体系来进行特定应用的质量鉴定，"2011年9月

　　8. E. Zanoni等，"基于AIGAN/GaN的HEMT故障物理学和可靠性：影响栅极边缘和肖特基结的机制，"关于电子器件的IEEE学刊，v.60，n.10，p.3119，2013年

　　9. J. Joh， N. Tipirneni， S. Pendharkar， S. Krishnan， "高压开关应用中GaN异结场效应晶体管内的电流崩塌"国际可靠性物理学研讨会 （IRPS），p.6C.5.1，2014年

　　10. O. Hill等，"缓冲器结构对高压AIGaN/GaN HFET的动态导通电阻的影响，"功率半导体器件和IC国际研讨会，p.345，2012年

　　11. S. R. Bahl和M. D. Seeman，"GaN共源共栅器件中全新的电气过应力和能量损耗机制，"应用电源电子会议 （APEC），T25，2015年

　　12. I. Kizilyalli等，"具有雪崩功能的高压垂直GaN p-n二极管，"关于电子器件的IEEE学刊，v.60，n.10，p.3067，2013年