摩尔定律：我这一辈子，见证了电子产业的崛起

如此微小，这使得电子设备即使在关闭时也会漏电，这不仅让电子设备耗能严重，也降低其可靠性。虽然人们使用新材料和新的工艺方法来解决该问题，但是工程师们为了保持集成芯片的性能，还是不得不停止了大幅度降低每个晶体管电压的做法。

　　因为缩放比例定律已经不再适用，是否要继续缩小晶体管尺寸就需要权衡了。让晶体管体积变得更小，不再意味着其运作效率有所提升。事实上，在今天想要像以往一样缩小晶体管同时让其保持相同的运作速度与功耗是十分困难的。

　　正因为如此，在近十年以来，摩尔定律更多关注的是成本问题而不是性能问题，别忘了，我们之所以要将晶体管变得更小还是为了让它更便宜。这并不是说如今的微处理器不如 5 年或者 10 年前产品的性能好。虽然针对集成芯片的设计工艺不断提升，但是性能方面的进步大部分还是源于更为廉价的晶体管所带来的多核集成。

　　集成芯片的成本问题越来越引人注目，这也是摩尔定律中重要且不被人注意的方面：随着晶体管越变越小，我们能够年复一年保持用硅晶片制成的每平方厘米的集成芯片成本不变。摩尔推算出制造 1 英亩（约 4046 平方米）大小的集成芯片大概要花费 10 亿美元，不过芯片制造商很少在计算成本时会用面积做为参考标准。

　　在近十年来，想要让硅晶片的成本保持不变开始变得困难。因为想要其价格保持不变，就需要有稳定的产量来支撑。在上世纪 70 年代硅晶片在集成芯片中的成本中只占 20% 左右，而如今已经提高到了 80%-90%。硅晶片是一种圆形的硅材料，可以被切割成芯片。大规模生产使得制造硅晶片所需的多个如掺杂和蚀刻这样的工序成本降低。更为重要的是，设备生产率大幅提升了。由于生产工具与生产工艺的提升，硅晶片在制造速度提高的同时其性能也得到了提升。

　　有三个因素决定了这一现实：不断提升的产量、更大的硅晶片以及不断提高的设备生产力。这一切使得芯片制造商在近十年来能够制造出电子元件分布密度越来越大的集成芯片，并且能够通过降低晶体管的价格来保持生产成本不变。不过时至今日，这个发展趋势也即将走到尽头，因为蚀刻工艺变得越来越昂贵。

　　在过去的十年中，针对硅晶片的光刻工艺变得越来越复杂，这使得硅晶片的制造成本不断提升，其成本增加速度大约是每年提高 10%。不过因为与此同时晶体管的体积每年约缩小 25%，针对每个晶体管来看其成本是降低了，但是在同一时间中总体制造成本的增长速度超过了晶体管的成本降低速度。因此，下一代的晶体管将比过去的更贵。

　　如果光刻成本继续快速增长，我们所熟知的摩尔定律将很快走到终点。现在已经出现了一些这样的迹象。在今天先进的芯片通常使用了沉浸式光刻技术，浸入式技术利用长波紫外线光通过液体介质后光源波长缩短来提高分辨率。人们想要使用短波紫外线来对该技术进行改造，当时预计该技术可以在 2004 年投入使用，但是实际上其进入实际运用的时间一直被推迟。这就使得芯片制造商不得不转而继续研发能够提高性能的双重图形模式，然而相比单一图形模它所耗费的制作时间也增加了 1 倍。芯片制造商还在试图开发出三重或者四重图形模式，这当然会进一步提高生产成本。几年后当我们回顾 2015 年，将发现可能正是从这一年开始，晶体管的制作成本不再持续下降，而是不断攀升。

　　回顾了摩尔定律五十年来的发展，展望未来，半导体行业的创新还将持续，不过这种创新很可能并不是系统性地降低晶体管的成本，而是在集成方面取得新进展：在一个单独芯片上集合各种不同的功能以降低系统成本。这听上去很像是摩尔定律 1.0 的时代的逻辑，但是在这种情况下我们并不是仅仅将不同逻辑的芯片集合在一起成为一块更大的芯片，而是将在历史上一直独立于硅片之外的非逻辑功能加入其中。

　　在这方面的早期尝试就是现代手机中的摄像头功能，它通过硅穿孔将一个图像传感器直接集合到数字信号处理器上。在这之后还会出现更多此类例子。集成芯片的设计者们已经开始探索如何对于微机电系统进行集成，这种技术一旦实现将可以制造出微型加速计、陀螺仪乃至继电器逻辑。这同样适用于制造可以进行生物测定与环境测试的微流体传感器。

　　所有这些技术都将使用户能够直接通过数字 CMOS 来连接外部，模拟这个世界。如果这种新的传感器和制动器能够以较低成本大规模生产，将会带来巨大的经济效益。

这个被称作摩尔定律 3.0 的阶段以及半导体产业的其他创新发展可能会产生「超越摩尔」的效果，但是可能并不经济实惠。将非标准化电子元件集成到一个芯片之中可能会带来许多