兼顾高耐压与低Vce（sat）性能的650V场截止沟槽式IGBT受热捧

逆变器导入新旧型IGBT的效率比较

　　图3则为新型50安培场截止沟槽式IGBT，以及旧式同级产品的比较，新方案在10安培及20安培状态下表现出优异的消长状况，此两种电流为大多数应用的实际运作电流。

　　图3 逆变器採用不同IGBT在10安培、20安培电流情况的效率表现

　　基于前述比较结果，可进一步估算系统中的功率损耗。假定目标系统为3kW额定混频全桥式逆变器，内建两个低端IGBT以线频进行切换，两个高端IGBT以17kHz进行切换，图4即为其功率损耗估算摘要。为验证功率损耗估算，可分别採用50安培/650伏特IGBT，以及功率损耗与其类似的3号IGBT做评比。

　　图4 新型IGBT与其他竞争方案的功率损耗预估

　　如图5所示，3kW系统在满载时，3号IGBT与50安培/650伏特IGBT的功耗相当接近，此状况完全符合估算，此外，效率断层会随着负载减少而逐渐变大，此状况亦符合图3的效率变化，在低电流位準时，50安培/650伏特IGBT的表现最优异。

　　图5 混频全桥式逆变器应用不同IGBT的效率比较

　　新型650伏特场截止沟槽式IGBT已于近期问世，且效能亦已通过系统厂评估，相较于旧型IGBT，新方案提供更好的DC及交流电（AC）特性，且抗短路时间及漏电流问题均有改善，可支援效率更高且更可靠的转换器系统。