分离栅极闪存循环擦写引起退化分量剖析

元中循环擦写引起的退化分量。本方法基于隧穿电流稳定性在向擦除栅极施加线性斜坡电压时的作用。通过这种方法，可以快速分离FG沟道和隧道氧化层退化对单元擦除性能总体退化的影响。了解退化分量的绝对影响和相对影响有助于确定限制SuperFlash耐擦写次数的最关键因素，进而对单元工艺和/或工作条件做出相应的优化。