半导体周要闻 | 张汝京就中国半导体当下焦点话题答疑释惑

宗并购尝试，也是这家设于加州巴洛艾托（Palo Alto）的公司首次对外宣布的交易。

美国总统川普今天阻挡陆资背景私募股权公司收购一家美国芯片制造商，对北京传达明确讯息，即华府将反对涉及潜在军事应用技术的交易。

集成电路产业改革创新应从何下手？徐小田文在中国电子报

在金融投资体系上，虽然国家设立了"01、02、03专项"支持企业的技术研发，设立了"国家集成电路产业投资基金"支持产业投资，同时带动了地方与社会资本对集成电路产业的关注，使得以往限制IC产业发展的资金瓶颈得到一定程度的缓解。但是，这基金和专项还是由政府所主导。这与以企业为主导，从市场出发、从企业自身发展出发的投资还不完全一致。我们常说，要以企业为主体，就是要将投资、研发、管理全都交由市场，都以企业为主导，政府只是为企业的发展创造条件。以前，我们的政策是解决了IC产业的研发费用有没有，产业投资够不够的问题;接下来要考虑的是，如何使用这些资金，是不是能用到刀刃上的问题。

格罗方德成都厂10月底前封顶 多家企业已寻求合作

备受电子信息行业关注的格罗方德12英寸晶圆成都制造基地项目又有新进展。9月20日，记者从成都高新区获悉，位于成都高新区西部园区的格罗方德Fab11晶圆代工厂项目近日举行芯片厂房钢桁架吊装仪式，芯片厂房将在10月底前封顶。

按照计划，累计投资达百亿美金的格罗方德Fab11项目将分为两期建设。一期为主流CMOS工艺12英寸晶圆生产线，预计2018年年底投产；二期为格罗方德最新的22FDX?22nm FD-SOI工艺12英寸晶圆生产线，预计2019年四季度投产。

据介绍，格罗方德Fab11项目内部将采用世界一流的自动化技术，建设自动化物料运送系统、厂务管理系统、数据分析系统等，打造智能电子厂房，实现全自动化晶圆制造。为实现晶圆生产对洁净环境的高要求，格罗方德Fab11项目还将打造6.5万平方米的晶圆生产洁净室，洁净等级为100级，局部房间达到1级标准。

5月，格罗方德宣布与成都市合作，共同推动实施FD-SOI生态圈行动计划。双方将用6年时间，共建世界级FD-SOI生态系统，助推成都成为全球卓越的集成电路设计和制造中心。

张忠谋:3nm制程会出来 2nm后很难

张忠谋解释，他预测摩尔定律可能再有10年，是包含了3nm制程，2nm做的成还是做不成，还要几年才会知道，有不确定性，2nm之后很难了。

张忠谋表示，台积电明年将生产7nm制程，5nm已研发差不多，一定会出来，3nm也已经做2至3年，看来也是会出来。

骁龙855采用7nm工艺 回归全自主架构

目前来看，已经有很多旗舰用上了骁龙835移动平台，接下来应该就是骁龙845登场了。不过，日前爆料却透露了骁龙845的下一代芯片--骁龙855的规格。据称，骁龙855采用7nm工艺制程，并将回归全自主设计架构，对X86有很好的优化。

贝恩资本签署收购东芝芯片业务的谅解备忘录

东芝公司称，美国私募股权公司贝恩资本（Bain Capital）周三与东芝签署了一份谅解备忘录，计划在9月底前达成收购东芝存储芯片业务的协议。

知情人士称，贝恩牵头的财团包括苹果(159.65, -1.21, -0.75%)公司、希捷(32.78, 0.89, 2.79%)技术公司和戴尔公司，对该业务出价逾180亿美元。其他知情人士称，韩国芯片制造商海力士半导体、日本政府支持的基金产业革新机构以及日本政府全资控股的日本政策投资银行也可能加入收购行列。贝恩财团的成员仍可能发生变化。

领先对手三年英特尔最强10纳米工艺完全碾压台积电三星

9月19日，许久未谈尖端制造的英特尔今天在北京举办了一个关于"英特尔精尖制造日"的活动。在本次活动中，英特尔全球首次公布10纳米工艺制程并现场展出了10nm技术的硅晶圆。预计英特尔的10纳米工艺将会整整领先竞争对手一代。

英特尔10 纳米工艺使用了超微缩技术 （hyper scaling），充分运用了多图案成形设计 （multi-patterning schemes），可以助力英特尔延续摩尔定律的经济效益，从而推出体积更小、成本更低的晶体管。

在工艺方面，英特尔10纳米制程的最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，是之前英特尔14纳米制程的2.7倍，大约是业界其他"10纳米"制程的2倍。

Zane Ball指出，英特尔正大规模进入代工市场，包括为移动和物联网设备的设计公司提供代工。英特尔元晶代工业务重点关注两大细分市场：网络基础设施、移动和互联设备，可以输出22纳米、14纳米、10纳米和22FFL等技术。除此之外，英特尔还可以提供联合优化设