英特尔10nm终于露面了，顺便带出了小弟22FFL

作为全球半导体行业多年的老大，英特尔（Intel）在制造工艺技术层面无疑是具有统治力的。但市场变化风起云涌，即使是行业老大，也有跟不上趟的时候。面对越来越激烈的竞争，压力在不断增加，再不能像十几年前那样稳坐钓鱼台了。

半个世纪以来，Intel的半导体制造工艺技术只为自家服务，然而，这位一直高高在上的老大（技术确实牛，不服不行），在最近5年态度发生了变化，特别是在收购Altera前后那段时间，Intel也开始做晶圆代工业务了，这完全是由市场发展变化以及竞争造成的，谁也躲不过这个宿命，Intel也不例外。

因此，就在昨天，这位行业老大破天荒地、第一次在中国举行了一次规格和规模都较高的半导体制造工艺技术和晶圆代工高峰论坛。这样的活动，即使是在全球范围内，也是Intel第二次搞，可见其对晶圆代工，以及中国市场的重视。

摩尔定律的宿命

Intel是摩尔定律的发源地，也是该公司最为引以为豪之处。发展了这么多年，遇到了各种各样的挑战，前进的难度也越来越大，因此，各种对该定律的质疑声此起彼伏。

Intel自然要坚定地捍卫摩尔定律，就像该公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith表述的那样，摩尔定律不会失效，它还在前进，而Intel则正在14nm和10nm工艺上用超微缩技术（hyper scaling），晶体管密度提升了2.7倍，进一步延续摩尔定律继续前进。

借助超微缩技术，14nm和10nm晶圆面积缩小了至少50%。

14nm领先对手3年。

Stacy Smith表示，一些竞争友商公司的制程节点名称并不准确，无法正确体现这个制程位于摩尔定律曲线的哪个位置。摩尔定律是指每一代制程工艺的晶体管密度加倍，纵观发展史，业界在命名新制程节点时会比上一代缩小30%，这种线性缩放意味着晶体管密度提高一倍，是符合摩尔定律的。近来，也许是因为进一步的制程升级越来越难，一些竞争友商公司背离了摩尔定律的法则，即使晶体管密度增加很少，或者根本没有增加，但他们仍继续推进采用新一代制程节点命名。

Stacy Smith认为，相比于业界其他竞争友商的16/14纳米制程，英特尔14纳米制程的晶体管密度是他们的约1.3倍。业界其他竞争友商"10 纳米"制程的晶体管密度与英特尔14纳米制程相当，却晚于英特尔14纳米制程三年。

因此，在Stacy Smith看来，英特尔10纳米晶体管密度是其他竞争友商"10纳米"的2倍。

英特尔10纳米制程采用第三代FinFET技术，晶体管密度达到每平方毫米1.008 亿个晶体管，是之前英特尔14纳米制程的2.7倍，是业界其他竞争友商"10纳米"制程的约2倍。据悉，台积电10纳米制程每平方毫米为4,800万个晶体管，三星为5,160万个。

首次发布10nm工艺产品

昨天，英特尔"Cannon Lake"10纳米晶圆全球首次公开亮相，并展示了5款晶圆，分别是：10 纳米Cannonlake，10纳米 ARM测试芯片，英特尔22FFL，14纳米展讯SC9861G-IA，以及14纳米展讯SC9853。

据悉，Cannonlake 10纳米产品，拥有全球最密集的晶体管和金属间距，采用了超微缩特性，保证了密度的领先性。

该产品采用了第三代 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，其使用的超微缩技术，充分运用了多图案成形设计 (multi-patterning schemes)，从而推出体积更小、成本更低的晶体管。英特尔10纳米制程将用于制造其全系列产品，以满足客户端、服务器以及其它各类市场的需求。

英特尔10纳米制程的最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，是之前英特尔14纳米制程的2.7倍，大约是业界其他"10纳米"制程的2倍。

以下是英特尔10nm技术密度，与台积电和三星10nm的对比情况：

下边是英特尔10nm与台积电和三星10nm的性能和功耗对比情况：

该公司表示，其10纳米制程计划于2017年底投产，2018年上半年实现量产。

此次，英特尔还发布了首款面向数据中心的64层TLC 3D NAND固态硬盘产品，该产品从8月初开始向部分顶级云服务提供商发货。

英特尔的14nm和10nm工艺到底强在哪里

单从技术角度看，英特尔的制造工艺水平确实是最强的，这一点也是多数业界同仁的普遍看法。但由于台积电和三星已经做了很多年的晶圆代工业务，形成了相应的生态系统，而这方面则是英特尔的弱项，毕竟其代工业务起步不久，要想拓展，与对手竞争，还有很长的路要走。

放下生态系统先不谈，我们来看一下英特尔的10nm和14nm制造工艺到底是什么样的。

关于制程工艺的命名，英特尔认