凭啥说三星Exynos 8890处理器秒杀苹果A9处理器

达到150Mbps。是三星自主处理器的又一里程碑。

Exynos 8890简易参数表

Soc型号 三星Exynos 8890

制程工艺 三星14nm FinFET LPP

核心 4*M1+4*A53

GPU Mali T880 MP12

协处理器 不详

ISP 不详

基带 双网LTE Cat12/13

RAM支持 双通道LPDDR4

ROM支持 eMMC 5.X/UFS2.0

Exynos 8890性能测试:比上代7420/骁龙810强得多

结果来自Geekbench数据库与GFXbench（全为Offscreen）数据库。

Exynos 8890 骁龙810 Exynos 7420

CPU

单核 2294 1228 1487

多核 6908 4198 5030

GPU

Car Chase（fps） 15.3 11.2 9.1

Manhattan 3.1（fps） 25.8 19.7 14.7

Manhattan（fps） 37.7 21.9 26

T-Rex（fps） 81.3 47.9 56.9

由于搭载Exynos 8890的机型还没开卖，所以仅能通过理论跑分成绩来说明其性能表现。单从数据上看来，Exynos 8890的单核性能已经比高通上代旗舰骁龙810以及三星上代旗舰Exynos 7420强不少，Exynos 8890的单核性能基本上是骁龙810、Exynos 7420的两倍，而GPU方面，Exynos 8890同样领先于另外两者，无论CPU性能还是GPU性能都有较大幅度的提升。

而随着Exynos 8890的机型逐渐出货，其驱动以及软件/游戏的优化也会陆续跟上，相信具体性能会继续往上攀升。

14nm LPP工艺的Exynos 8890发热更少

可能很多朋友会对这款处理器产生疑问，这么强大的处理器，发热怎么样。鉴于笔者手上也没有搭载这款处理器的相应机型，所以具体发热状况暂且不妄下定论。但Exynos 8890采用14nm FinFET LPP工艺制造，相信发热"理论"上会得到控制，究竟FinFET是什么?它又有什么作用呢?笔者来简单阐述一下。

FinFET显微图

其实早在10多年前，就有人提出FinFET这个结构，FinFET主要重新设计了晶体管里面的S/D两级以及最为关键的Gate结构（什么是S/D/Gate今天不说，不然文章起码要多2000字），让Gate对通/断的控制力更强，也就是在更先进的制程节点上，减少S/D两级之间的漏电流，而漏电流会直接影响处理器的功耗。而骁龙810的20nm HKMG工艺，就是Gate控制力低下（对于20nm节点），导致漏电问题严重，所以发热以及功耗得不到良好的控制。

FinFET工艺示意图

而台积电/三星在16nm/14nm节点上都使用了FinFET技术，增强了Gate对S/D的控制力，减少漏电流。此外，随着三星14nm FinFET LPE过渡到LPP工艺的成熟，良品率会逐渐上升，成本慢慢下降，也利于三星在晶圆的制造过程中使用更好的工艺去控制功耗。

Exynos 8890的发热情况本站将会进行相应的测试。

总结:三星自主处理器的又一里程碑

搭载Exynos 8890的Galaxy S7已经发布。另外，在15年12月的骁龙820亚洲首秀上，高通表示已经有超过70款终端采用这颗处理器，相信到现在已经突破了这一数字。

Exynos 8890作为三星首款集成基带模块的处理器，其身上有着相当多创新之处，例如自主设计的Mongoose核心以及自主架构+arm 公版架构的双簇式设计，能很好地兼顾高性能与低功耗。整体来说，Exynos 8890的性能表现在2016年夺下安卓手机平台处理器性能宝座并不是问题。

然而，Exynos 8890多核性能秒苹果A9不是问题，而工艺上面也采用比A9 LPE更强的LPP。